[发明专利]光调制器的制造方法以及光调制器

说明书

技术领域

本发明涉及光调制器的制造方法以及光调制器。

背景技术

一直以来，例如如日本特表2002－533940号公报所公开地，已知集成了半导体激光器和光调制器的半导体集成电路。在该公报的段落0008中，记载了“光子装置间的波长之差依赖于衬底上的光子装置的位置，被称为失调的激光器与调制器间的波长之差很重要”。在该公报中，公开了在用于制造激光器和调制器的电路掩模包括两个掩模部分（即激光器部分和调制器部分）的前提下，为了实施所需要的波长校正，应该怎样设计调制器部分（调制器掩模部分）的宽度等。

专利文献

专利文献1：日本特表2002－533940号公报；

专利文献2：日本特开2002－033547号公报。

发明内容

在集成了激光二极管部（以下也称作LD部）和电场吸收型调制部（以下也称为EAM部）的光调制器中，将LD部和EAM部分别在同一半导体衬底上形成。在该集成型的光调制器中，EAM部的吸收光谱以及LD部的振荡波长以及它们的波长差决定主要的性能。此时，优选LD部的振荡波长与EAM部的光致发光波长之差（以下也称为Δλ）为尽可能地接近设计值的值。然而，LD部的振荡波长由于LD部的制造偏差而具有一定程度的偏差，另一方面，EAM部的光致发光波长也由于电场吸收层（EAM吸收层）的制造偏差而具有一定程度的偏差。作为这些偏差的结果，最终的Δλ的值有可能具有设计上不能够容许的程度的制造偏差。

本发明为了解决如上所述的问题而完成，提供一种光调制器的制造方法以及光调制器，其能够高精度地进行用于使激光二极管部的振荡波长与电场吸收型调制部的光致发光波长之差接近设计值的调节。

第一发明是一种光调制器的制造方法，

其中所述光调制器具备激光二极管部以及电场吸收型调制部，所述光调制器的制造方法的特征在于，具备：

在半导体衬底上设置作为用于制造所述激光二极管部的半导体层的LD生长层的工序；

在所述半导体衬底上设置用于形成所述电场吸收型调制部的电场吸收层的工序；

测定所述电场吸收层的光致发光波长的测定工序；以及

蚀刻所述LD生长层而形成带构造部的带形成工序，

以所述激光二极管的振荡波长与所述光致发光波长之差接近设计值的方式设计所述带构造部的宽度。

第二发明是一种光调制器，其特征在于，具备：

半导体衬底；

激光二极管部，设于所述半导体衬底；

电场吸收型调制部，设于所述半导体衬底中的所述激光二极管部的激光出射侧位置，通过电场的施加而控制所述激光的出射状态；以及

带构造部，共同地设于所述激光二极管部以及所述电场吸收型调制部，

所述带构造部具有：第一部分，位于所述激光二极管部且具有第一宽度；以及第二部分，位于所述电场吸收型调制部且具有与所述第一宽度不同的第二宽度。

根据本发明，提供一种光调制器的制造方法以及光调制器，能够高精度地进行用于使激光二极管部的振荡波长与电场吸收型调制部的光致发光波长之差接近设计值的调节。

附图说明

图1是示意性地示出本发明的实施方式1所涉及的光调制器的构成的立体图；

图2是本发明的实施方式1所涉及的光调制器的LD部30的脊部分附近的截面图；

图3是本发明的实施方式1所涉及的光调制器的EAM部20的脊部分附近的截面图；

图4是示出本发明的实施方式1所涉及的光调制器的制造方法的流程图；

图5是示意性地示出本发明的实施方式1所涉及的光调制器的制造流程的立体图；

图6是示意性地示出本发明的实施方式1所涉及的光调制器的制造流程的立体图；

图7是示意性地示出本发明的实施方式1所涉及的光调制器的制造流程的立体图；

图8是示意性地示出本发明的实施方式1所涉及的光调制器的制造流程的立体图；

图9是示意性地示出本发明的实施方式1所涉及的光调制器的制造流程的立体图；

图10是作为本发明的实施方式1的变形例的、具有埋入带构造的光调制器的制造方法的流程图；

图11是示意性地示出本发明的实施方式2所涉及的光调制器的构成的立体图；

图12是示出本发明的实施方式2所涉及的光调制器310的制造流程的立体图。

具体实施方式

实施方式1.

[实施方式1的装置的构成]