[发明专利]不需要感测放大器的半导体存储器

权利要求书

1.一种不需要感测放大器的半导体存储器，包含：一个讯号电极单元、一个控制电极单元，及多个存储器元件；

该讯号电极单元包括多个间隔排列且互不电连接并用于传送一个读取数据及一个写入数据的讯号电极；

该控制电极单元包括多个间隔排列且互不电连接并用于传送一个控制讯号的控制电极，所述控制电极与所述讯号电极相互交错且互不电连接；

所述存储器元件呈阵列排列于所述讯号电极及所述控制电极间，并分别电连接于所述讯号电极及所述控制电极，且受该控制讯号控制以接收该写入数据或输出该读取数据；

其特征在于：

该不需要感测放大器的半导体存储器还包含：多个三态缓冲器及一个电平调整单元；

所述三态缓冲器分别于所述讯号电极上，沿该讯号电极延伸方向间隔设置，每一个三态缓冲器电连接于其中一个讯号电极及沿该讯号电极排列的所述存储器元件间，且具有一个电连接多个存储器元件并接收所述存储器元件所输出的读取数据的输入端、一个电连接该讯号电极的输出端，及一个控制端，所述三态缓冲器受控制而于导通与不导通间切换；

该电平调整单元电连接于所述三态缓冲器的输入端，用于将所述三态缓冲器的输入端的电压调整至一个预定电压。

2.如权利要求1所述的不需要感测放大器的半导体存储器，其特征在于：该电平调整单元可于一个调整模式与一个非调整模式间切换，于该调整模式时，该电平调整单元对所述三态缓冲器的输入端的电压进行电平调整，于该非调整模式时，该电平调整单元不对所述三态缓冲器的输入端的电压进行电平调整，且于所述存储器元件输出该读取数据期间，该电平调整单元切换于该非调整模式。

3.如权利要求2所述的不需要感测放大器的半导体存储器，其特征在于：该电平调整单元包括：

多个开关，分别电连接于所述三态缓冲器的输入端与该预定电压间、所述讯号电极与该预定电压间，并受控制于导通与不导通间切换，该电平调整单元于该调整模式时，该开关导通以使所述三态缓冲器的输入端及所述讯号电极电连接至该预定电压，于该非调整模式时，该开关不导通以使所述三态缓冲器的输入端及所述讯号电极不电连接至该预定电压。

4.如权利要求1所述的不需要感测放大器的半导体存储器，其特征在于：该电平调整单元包括：

多个电阻，分别电连接于所述三态缓冲器的输入端与该预定电压间、所述讯号电极与该预定电压间。

5.如权利要求1所述的不需要感测放大器的半导体存储器，其特征在于：该半导体存储器还包含：

多个缓冲开关，分别于所述讯号电极上，沿该讯号电极延伸方向间隔设置，每一个缓冲开关电连接于其中一个讯号电极及沿该讯号电极排列的所述存储器元件间，且具有一个电连接该讯号电极并接收该写入数据的第一端、一个电连接多个存储器元件的第二端，并受控制而于导通与不导通间切换。

6.如权利要求5所述的不需要感测放大器的半导体存储器，其特征在于：

该电平调整单元可于一个调整模式与一个非调整模式间切换，于该调整模式时，该电平调整单元对所述三态缓冲器的输入端的电压进行电平调整，于该非调整模式时，该电平调整单元不对所述三态缓冲器的输入端的电压进行电平调整，且于所述存储器元件输出该读取数据期间，该电平调整单元切换于该非调整模式；

该电平调整单元电连接至所述缓冲开关与所述存储器元件的连接点，并对所述缓冲开关与所述存储器元件的连接点进行电平调整，于该调整模式时，该电平调整单元对所述缓冲开关与所述存储器元件的连接点的电压进行电平调整，于该非调整模式时，该电平调整单元不对所述缓冲开关与所述存储器元件的连接点的电压进行电平调整，且于该写入数据输入至所述存储器元件期间，该电平调整单元切换于该非调整模式。

7.如权利要求1所述的不需要感测放大器的半导体存储器，其特征在于：该存储器元件为静态随机存取存储器。