[发明专利]不需要感测放大器的半导体存储器

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器，特别是涉及一种不需要感测放大器的半导体存储器。

背景技术

参阅图1，现有一种半导体存储器包含：多个间隔排列且互不电连接并用于传送一个数据的讯号电极11、多个间隔排列且互不电连接并用于传送一个控制讯号的控制电极12、多个存储器元件13，及多个分别电连接所述讯号电极11的感测放大器14。

所述控制电极12与所述讯号电极11相互交错且互不电连接。

所述存储器元件13呈阵列排列于所述讯号电极11及所述控制电极12间，并分别电连接于所述讯号电极11及所述控制电极12，且受该控制讯号控制以输出该数据。

所述感测放大器14用于感应放大该数据并输出。

由于目前市场趋势所需的存储器容量愈来愈大，当存储器元件13阵列大到一定程度时，由于所述讯号电极11距离变长而使寄生电容增加，会导致所述讯号电极11的时间常数(RC Time constant)增加，难以被驱动到应有的电平，所以现有技术中需要加入所述感测放大器14来侦测所述讯号电极11上的微小电平差异，并将该微小电平差异放大处理后以供后续使用。

然而感测放大器14耗电大，使得现有半导体存储器的整体耗电量难以下降，无法符合现今节能省电的趋势。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种不需要感测放大器的半导体存储器。

本发明不需要感测放大器的半导体存储器，包含：一个讯号电极单元、一个控制电极单元，及多个存储器元件。

该讯号电极单元包括多个间隔排列且互不电连接并用于传送一个读取数据及一个写入数据的讯号电极。

该控制电极单元包括多个间隔排列且互不电连接并用于传送一个控制讯号的控制电极，所述控制电极与所述讯号电极相互交错且互不电连接。

所述存储器元件呈阵列排列于所述讯号电极及所述控制电极间，并分别电连接于所述讯号电极及所述控制电极，且受该控制讯号控制以接收该写入数据或输出该读取数据。

该不需要感测放大器的半导体存储器还包含：多个三态缓冲器及一个电平调整单元。

所述三态缓冲器分别于所述讯号电极上，沿该讯号电极延伸方向间隔设置，每一个三态缓冲器电连接于其中一个讯号电极及沿该讯号电极排列的所述存储器元件间，且具有一个电连接多个存储器元件并接收所述存储器元件所输出的读取数据的输入端、一个电连接该讯号电极的输出端，及一个控制端，所述三态缓冲器受控制而于导通与不导通间切换。

该电平调整单元电连接于所述三态缓冲器的输入端，用于将所述三态缓冲器的输入端的电压调整至一个预定电压。

本发明所述不需要感测放大器的半导体存储器，该电平调整单元可于一个调整模式与一个非调整模式间切换，于该调整模式时，该电平调整单元对所述三态缓冲器的输入端的电压进行电平调整，于该非调整模式时，该电平调整单元不对所述三态缓冲器的输入端的电压进行电平调整，且于所述存储器元件输出该读取数据期间，该电平调整单元切换于该非调整模式。

本发明所述不需要感测放大器的半导体存储器，该电平调整单元包括至少一个电压提供电路，该电压提供电路电连接于所述三态缓冲器的输入端及所述讯号电极，用于可中止地提供该预定电压至所述三态缓冲器的输入端及所述讯号电极，该电平调整单元于该调整模式时，该电压提供电路提供该预定电压至所述三态缓冲器的输入端及所述讯号电极，于该非调整模式时，该电压提供电路不提供该预定电压至所述三态缓冲器的输入端及所述讯号电极。

本发明所述不需要感测放大器的半导体存储器，该电平调整单元包括多个开关，所述开关分别电连接于所述三态缓冲器的输入端与该预定电压间、所述讯号电极与该预定电压间，并受控制于导通与不导通间切换，该电平调整单元于该调整模式时，该开关导通以使所述三态缓冲器的输入端及所述讯号电极电连接至该预定电压，于该非调整模式时，该开关不导通以使所述三态缓冲器的输入端及所述讯号电极不电连接至该预定电压。

本发明所述不需要感测放大器的半导体存储器，该电平调整单元包括多个电阻，所述电阻分别电连接于所述三态缓冲器的输入端与该预定电压间、所述讯号电极与该预定电压间。

本发明所述不需要感测放大器的半导体存储器，该半导体存储器还包含多个缓冲开关，所述缓冲开关分别于所述讯号电极上，每间隔多个存储器元件的距离插入设置于所述讯号电极，且每一个缓冲开关包括一个接收该写入数据的第一端，及一个电连接多个存储器元件及下一个缓冲开关的第一端的第二端，并受控制而于导通与不导通间切换。