[发明专利]一种OLED显示器件阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种OLED显示器件阵列基板制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在包括TFT区域和电容区域的基板(1)上依次形成半导体层(3)和第一栅极绝缘层(41)；

S2、在S1制得所述第一栅极绝缘层(41)远离所述基板(1)一侧的上方施加杂质对所述半导体层(3)进行第一次掺杂；

S3、直接在所述第一栅极绝缘层(41)上形成第一半色调光致抗蚀剂层(51)；

S4、以所述第一半色调光致抗蚀剂层(51)为第一道掩膜，将所述半导体层(3)和所述第一栅极绝缘层(41)图案化；

S5、除去所述TFT区域中源极区和漏极区所对应的所述第一半色调光致抗蚀剂层(51)以及所述电容区域的所述第一半色调光致抗蚀剂层(51)，以形成第二半色调光致抗蚀剂层(52)；

S6、在所述第二半色调光致抗蚀剂层(52)远离所述基板(1)一侧的上方施加杂质对所述半导体层(3)进行第二次掺杂，在所述半导体层(3)长度方向的两端形成杂质浓度较高的第二掺杂区域(32)，而所述半导体层(3)中仅进行所述第一次掺杂的区域为第一掺杂区域(31)；

S7、除去所述第二半色调光致抗蚀剂层(52)，并在所述基板(1)上形成直接覆盖所述第一栅极绝缘层(41)和所述半导体层(3)的第二栅极绝缘层(42)；

S8、直接在所述第二栅极绝缘层(42)上形成电极层，并覆盖所述电容区域，在所述TFT区域形成栅极(61)图案，所述栅极(61)的宽度大于或者小于所述第一掺杂区域(31)的宽度；

S9、以所述栅极(61)图案为第二道掩膜，在所述栅极(61)远离所述基板(1)一侧的上方施加杂质对所述半导体层(3)进行第三次掺杂，在所述半导体层(3)长度方向的两端形成杂质浓度较高的第三掺杂区域(34)；

S10、形成覆盖所述基板(1)、所述第二栅极绝缘层(42)、所述栅极(61)以及所述电容区域表面的层间绝缘层(7)，并在所述第一栅极绝缘层(41)、所述第二栅极绝缘层(42)、所述层间绝缘层(7)中形成源极电极(81)与漏极电极(82)，分别与所述源极区和所述漏极区成电性接触。

2.根据权利要求1所述的OLED显示器件阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一次掺杂、所述第二次掺杂、所述第三次掺杂的加速电压相同。

3.根据权利要求1或2所述的OLED显示器件阵列基板制备方法，其特征在于，所述栅极(61)的宽度大于所述第一掺杂区域(31)的宽度，且在所述栅极(61)的宽度方向上，所述栅极(61)与所述源极区、所述漏极区在所述基板(1)上的投影均部分重合；所述第三次掺杂所用掺杂剂的剂量大于所述第二次掺杂所用掺杂剂的剂量，所述第二次掺杂所用掺杂剂的剂量大于所述第一次掺杂所用掺杂剂的剂量。

4.根据权利要求1或2所述的OLED显示器件阵列基板制备方法，其特征在于，所述栅极(61)的宽度小于所述第一掺杂区域(31)的宽度，且在所述栅极(61)的宽度方向上，所述栅极(61)在所述基板(1)上的投影在所述第一掺杂区域(31)在所述基板(1)上的投影范围内，且边缘不重合；所述第三次掺杂所用的掺杂剂的剂量小于所述第二次掺杂的掺杂剂剂量，大于所述第一次掺杂的掺杂剂剂量。

5.根据权利要求1或2所述的OLED显示器件阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一次掺杂、所述第二次掺杂以及所述第三次掺杂的掺杂剂相同。

6.根据权利要求5所述的OLED显示器件阵列基板制备方法，其特征在于，所述掺杂剂为P型离子。

7.根据权利要求1、2或6任一所述的OLED显示器件阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一栅极绝缘层(41)与所述第二栅极绝缘层(42)所用材料相同。

8.根据权利要求1、2或6任一所述的OLED显示器件阵列基板制备方法，其特征在于，步骤S1中所述基板(1)与所述半导体层(3)间还设置有缓冲层(2)。

9.根据权利要求1、2或6任一所述的OLED显示器件阵列基板制备方法，其特征在于，所述半导体层(3)为非晶硅层。

10.根据权利要求9所述的OLED显示器件阵列基板制备方法，其特征在于，步骤S1中形成所述半导体层(3)之后，还包括将非晶硅转化为多晶硅的步骤。