[发明专利]一种OLED显示器件阵列基板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有源矩阵有机发光显示器件领域，具体涉及一种有源矩阵有机电致发光显示阵列基板的制备方法及该方法制备的阵列基板。

背景技术

有机发光显示二极管（英文全称Organic Light-Emitting Diode，简称OLED）是主动发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。

有源矩阵有机发光器件（英文全称Active Matrix organic lighting emitting display，简称AMOLED），利用薄膜晶体管（英文全称Thin Film Transistor，简称TFT），搭配电容存储信号，来控制OLED的亮度和灰阶表现。每个单独的AMOLED具有完整的阴极、有机功能层和阳极，阳极覆盖一个薄膜晶体管阵列，形成一个矩阵。薄膜晶体管阵列形成电路，决定像素的发光情况，进而决定图像的构成。AMOLED可大尺寸化，较省电，高解析度，面板寿命较长，因此在显示技术领域得到了高度的重视。

如图1所示，AMOLED中为了达到固定电流驱动的目的，每个像素至少需要两个TFT（T1和T2）和一个存储电容（Cs）来构成。当扫描线S1被驱动时，开关TFT（T1）被开启，而信号则由数据线D1输入电容Cs；当Cs蓄电后，电源根据控制TFT（T2）的I-V特性与Cs的电位供给电流以驱动OLED。当T1关闭时，驱动电路中的漏电流会导致Cs的电容值改变，使得导通电流降低，易造成像素的明亮或灰度调整产生误差。现有技术中，一般通过在TFT中设置LDD（英文全称为：lightly doped drain，译为：轻掺杂漏极）区域，即在沟道中靠近漏极附件设置一个低掺杂的漏区，让其承受部分电压，来降低开关TFT关闭后的漏电流。另外，设置LDD区还可以解决由TFT收缩而引起的热载流子效应。

中国专利CN100369266C公开了一种含LDD区的TFT的制备方法，具体为：1、在衬底上形成半导体凸块；2、形成第一光致抗蚀剂层覆盖部分该半导体层凸块，露出预定形成源极和漏极的该半导体层区域；3、以第一光致抗蚀剂层为掩膜，对该半导体层凸块进行第一次离子注入以形成源极区和漏极区；4、去除该第一光致抗蚀剂层；5、覆盖第一绝缘层于该衬底与该半导体层凸块表面；6、形成第二光致抗蚀剂层于该第一绝缘层上，除露出与该漏极区相邻的部分该半导体层凸块之外，覆盖该半导体层凸块未进行离子注入的区域；7、以该第二光致抗蚀剂层为掩膜，对该半导体层凸块进行第二离子注入，形成掺杂浓度低于该漏极区的一轻掺杂区；8、去除该第二光致抗蚀剂层；9、于该第一绝缘层上形成并定义刻蚀形成一栅电极，位于该未掺杂半导体层凸块上方；10、覆盖一第二绝缘层于该衬底、第一绝缘层与该栅极电极表面；11、在该第一与第二绝缘层中形成源极电极与漏极电极分别与该源极区和漏极区成电性接触。

上述TFT的制备方法工艺复杂，仅形成LDD区需要两道掩膜、两次离子注入掺杂过程，第二次掺杂步骤中半导体层上还设置有绝缘层，使得第二次掺杂需要使用更高的加速电压，两次掺杂步骤所使用的加速电压不一致，增加了工艺成本和工艺难度，而且工艺的稳定性较差；另外，两次掺杂工艺所使用的加速电压不一致，为了使得注入离子在半导体层中均匀扩散，在离子掺杂工艺完成后还需要进行快速热处理工艺，增加了制备成本和工艺难度。

上述专利还公开了一种含上述TFT的电致发光显示器件，现有技术中通常在上述步骤1制备半导体凸块的同时制备电容的下极板区域；在步骤11完成后，除去电容区域的栅极，对电容的下极板区域进行掺杂，再进行电容上基板的制备，以解决本征半导体导电率较低，不能在需要的时间内完成充电的问题。在整个TFT和电容阵列的制备过程中涉及光刻、离子注入掺杂的步骤较多，工艺十分复杂。

OLED器件制作工艺复杂，在阵列基板的制作过程中不但涉及TFT和电容阵列的制备的工艺，还涉及引线互联的问题，光刻、离子注入等工艺步骤次数越多，OLED器件的制备成本越高、产品良率越低，因此研究如何简化TFT和电容阵列制备工艺具有重大的实际意义。

发明内容

为此，本发明所要解决的是现有技术中OLED显示器件阵列基板制备方法复杂的问题，提供一种工艺简单的阵列基板制备方法，及该方法所制备的阵列基板。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

本发明所述的一种OLED显示器件阵列基板制备方法，包括如下步骤：