[发明专利]列选择多路复用器、方法和采用其的计算机存储器子系统无效
| 申请号： | 201310429672.X | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103680601A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·戈特巴;乔尔·德威特;马列克·斯莫兹纳 | 申请（专利权）人： | 辉达公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选择 多路复用 方法 采用 计算机 存储器 子系统 | ||
1.一种列选择多路复用器，包括：
第一场效应晶体管，具有经由反相器耦连到随机存取存储器阵列的位线的栅极；
第二场效应晶体管，与所述第一场效应晶体管串行地耦连并具有耦连到所述随机存取存储器阵列的列选择总线的栅极；以及
锁存器，具有耦连到所述第一和第二场效应晶体管的输入。
2.根据权利要求1所述的列选择多路复用器，进一步包括耦连到所述第二场效应晶体管的NAND门。
3.根据权利要求2所述的列选择多路复用器，进一步包括耦连在所述NAND门和所述锁存器之间的场效应晶体管。
4.根据权利要求1所述的列选择多路复用器，进一步包括与所述位线相关联的预充电场效应晶体管。
5.根据权利要求1所述的列选择多路复用器，进一步包括与所述位线相关联的保持器场效应晶体管。
6.根据权利要求1所述的列选择多路复用器，其中所述随机存取存储器阵列是静态随机存取存储器阵列。
7.一种存储器子系统，包括：
存储器控制器；
第一随机存取存储器阵列，耦连到所述存储器控制器；
第二随机存取存储器阵列，耦连到所述存储器控制器；以及
列选择多路复用器，耦连到所述第一随机存取存储器阵列和所述第二随机存取存储器阵列并包括：
第一场效应晶体管，具有耦连到所述第一随机存取存储器阵列的位线的栅极，
第二场效应晶体管，与所述第一场效应晶体管串行地耦连并具有耦连到所述随机存取存储器阵列的列选择总线的栅极，以及
锁存器，具有耦连到所述第一和第二场效应晶体管的输入。
8.根据权利要求7所述的列选择多路复用器，进一步包括耦连到所述第二场效应晶体管的NAND门。
9.根据权利要求7所述的存储器子系统，进一步包括耦连在所述NAND门和所述锁存器之间的场效应晶体管。
10.根据权利要求7所述的存储器子系统，进一步包括与所述位线相关联的预充电场效应晶体管。
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