[发明专利]晶圆表面颗粒物的缺陷检测系统及其工作方法有效
申请号: | 201310432323.3 | 申请日: | 2013-09-22 |
公开(公告)号: | CN103489809A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 郭贤权;许向辉;顾珍 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 颗粒 缺陷 检测 系统 及其 工作 方法 | ||
1.一种晶圆表面颗粒物的缺陷检测系统,其特征在于,包括:
晶圆扫描装置,用于对晶圆背面的颗粒进行扫描;
晶圆翻转装置,用于对晶圆进行翻转,使得晶圆背面向上,以供所述晶圆扫描装置进行扫描;
光学目检装置,用于对晶圆背面的颗粒进行目检;
晶圆传输装置,用于在所述晶圆扫描装置、晶圆翻转装置和光学目检装置之间传输晶圆。
2.如权利要求1所述的晶圆表面颗粒物的缺陷检测系统,其特征在于,所述光学目检装置包括:
可移动载物台,用于承载晶圆;
汞灯光学放大镜,用于对晶圆的背面进行目检;
控制模块,用于控制所述可移动载物台和汞灯光学放大镜进行工作;
数据传输模块,用于将汞灯光学放大镜的目检结果向外部进行传输。
3.如权利要求2所述的晶圆表面颗粒物的缺陷检测系统,其特征在于,所述汞灯光学放大镜包括亮场和/或暗场。
4.如权利要求2所述的晶圆表面颗粒物的缺陷检测系统,其特征在于,所述汞灯光学放大镜的放大倍率包括三级。
5.如权利要求5所述的晶圆表面颗粒物的缺陷检测系统,其特征在于,所述汞灯光学放大镜的放大倍率包括:100倍的一级,500倍的二级,1000倍的三级。
6.如权利要求2所述的晶圆表面颗粒物的缺陷检测系统,其特征在于,所述控制模块用于设定对晶圆的背面目检的规则。
7.如权利要求6所述的晶圆表面颗粒物的缺陷检测系统,其特征在于,所述控制模块设定对晶圆的背面检测的规则为缺陷尺寸从大到小,亮场自动检测50颗,光学显微镜放大倍率为自动调节。
8.如权利要求1所述的晶圆表面颗粒物的缺陷检测系统,其特征在于,所述光学目检装置在所述晶圆扫描装置对晶圆背面扫描后,对晶圆背面进行目检。
9.如权利要求1所述的晶圆表面颗粒物的缺陷检测系统,其特征在于,所述晶圆扫描装置、晶圆翻转装置和光学目检装置围绕所述晶圆传输装置设置。
10.利用权利要求1的晶圆表面颗粒物的缺陷检测系统的工作方法,其特征在于,包括:
提供晶圆至晶圆传输装置,所述晶圆正面向上;
利用晶圆传输装置将所述晶圆传输至晶圆翻转装置;
利用晶圆翻转装置将晶圆背面向上;
利用晶圆传输装置将所述背面向上的晶圆从所述晶圆翻转装置传输至晶圆扫描装置;
利用所述晶圆扫描装置对晶圆背面进行扫描;
在晶圆背面扫描结束后,利用晶圆传输装置将晶圆传输至光学目检装置,对晶圆进行光学目检。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造