[发明专利]光刻胶剥离剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及印刷电路板平板印刷技术领域，尤其涉及一种用于显影过程之后剥离光刻胶的光刻胶剥离剂组合物，更进一步涉及一种在去除用于布图金属布线的光刻胶时，能够降低对金属布线的腐蚀，且能达到优秀的剥离效果的光刻胶剥离剂组合物。 

背景技术

光刻胶是在照相平版印刷工艺中必不可少的物质，而照相平版印刷工艺一般应用于集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路等半导体装置和液晶显示器、平板显示器等图像显示装置的制造。 

基板上光致抗蚀剂的去除技术有：湿式剥离，其使用被称之为光致抗蚀剂剥离液的化学药品，使光致抗蚀溶解或部分溶解，由此从基板上剥离光致抗蚀剂；以及干式剥离，其使用被称之为灰化成分的处于等离子状态的氧气等将光致抗蚀剂以及光致抗蚀剂变质层灰化去除。可以选择适于各自的制造工序的去除技术。 

以前，对于光致抗蚀剂以及光致抗蚀剂变质层的去除，主要使用灰化方法。另外，在只采用灰化方法而难以从基板上完全去除来自光致抗蚀剂以及光致抗蚀剂变质层的灰化物的情况下，灰化处理之后，并用基于光致抗蚀剂残渣去除液的处理。再者，对于灰化去除比较困难的侧壁保护沉积膜的去除，也可以使用湿式剥离。在此，所谓光致抗蚀剂残渣，意味着下列的残渣全部包括在内：灰化处理后残留在基板表面的不完全灰化物即光致抗蚀剂残渣，残留在布线以及残留在导通孔侧面的侧壁聚合物(也称为侧壁保护膜)，以及残留在导通孔侧面和底面的有机金属聚合物、金属氧化物等。 

在采用湿式剥离的情况下，可以使用烷基苯和烷基苯磺酸的酸性光致抗蚀剂剥离液、以及烷醇胺等的碱性光致抗蚀剂剥离液等，其用于通过离子照射和热形成的光致抗蚀剂变质层，但难以剥离干蚀刻形成的光致抗蚀剂变质层。因此，提出了由烷醇胺、二羟基苯以及二甲亚砜构成的光致抗蚀剂剥离液等。 

另外，残留在布线以及导通孔侧面的侧壁聚合物和在残留导通孔侧面以及底面的有机金属聚合物等光致抗蚀剂残渣的一部分、以及布线材料等的被蚀刻材料，通过干蚀刻而实现无机化。因此，作为具有剥离光致抗蚀剂和去除无机成分这两种功能的洗涤组合物，也提出了以羟胺和烷醇胺为主成分的组合物。另外，作为仅去除无机成分的洗涤剂，已经提出了氟化铵、四烷基醋酸铵、二甲基甲酰胺以及水构成的组合物。 

但是，在使用这些光致抗蚀剂剥离液或光致抗蚀剂残渣去除液的情况下，为了不腐蚀布线材料，需要进行采用异丙醇等有机溶剂的冲洗，为了完全去除光致抗蚀剂残渣，需要进行高温下的处理。再者，光致抗蚀剂残渣与布线材料的组成类似，所以采用这些光致抗蚀剂残渣去除液进行基板处理时，存在的问题是对布线材料造成腐蚀，从而影响产品的质量。 

因此，如何实现能够在进行光刻胶剥离的过程中防止对布线材料造成腐蚀成为人们研究的重点，本发明就是在此基础上提出的一种光刻胶剥离剂组合物，其对光刻胶层具有优良的剥离性，且不会对金属布线材料产生浸蚀。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种新型的光刻胶剥离剂组合物，其对光刻胶层具有优良的剥离性，且不会对金属布线材料产生浸蚀，在半导体电路元件制造工序中，具有很大的优势。 

为解决上述技术问题，本发明提供了一种防腐剂混合物，其包括肉桂基咪唑啉和2-甲基-5-十二烷基异恶唑。 

其中，所述防腐剂混合物仅由肉桂基咪唑啉和2-甲基-5-十二烷基异恶唑构成。 

所述肉桂基咪唑啉和2-甲基-5-十二烷基异恶唑混合质量比为1∶1.2～1.5。 

其中，所述肉桂基咪唑啉的制备方法具体为： 

将10ml分析纯的二乙烯三胺置于四口烧瓶中，升温至150℃，滴入3ml分析纯甲苯，添加22g分析纯的肉桂酸，在氮气环境下进行搅拌，再升温至170℃开始酰化脱水，反应5h以后，升温至240℃开始环化脱水3h，反应完毕后将其置于真空干燥箱中干燥，得到棕褐色粘稠状的肉桂基咪唑啉。 

本发明还提供了上述防腐剂混合物在制备光刻胶剥离剂组合物中的应 用。 

为解决上述技术问题，本发明提供了一种光刻胶剥离剂组合物，其包括多元醇混合物、氢氧化季氨盐、醇钠、吗啉、表面活性剂、水溶性有机溶剂、防腐蚀剂混合物、有机胺和去离子水。 

其中，所述光刻胶剥离剂组合物中各组分的重量百分比为多元醇混合物10～20质量％、氢氧化季氨盐3～10质量％、醇钠15～25质量％、吗啉3～5质量％、表面活性剂2～6质量％、水溶性有机溶剂5～20质量％、防腐蚀剂混合物6～12质量％、有机胺10％～30％和余量的去离子水。