[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，其特征在于，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述散射层包括二氧化钛掺杂层与有机硅小分子掺杂层；其中，

所述二氧化钛掺杂层的材质包括二氧化钛与荧光发光材料，所述有机硅小分子掺杂层的材质包括有机硅小分子与荧光发光材料；

所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；

所述荧光发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述二氧化钛与所述荧光发光材料的掺杂质量比为0.1:1~0.3:1，所述有机硅小分子与所述荧光发光材料的掺杂质量比为1:1~2:1。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述二氧化钛的粒径为20~200nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率为1.8以上，可见光透过率为90%以上。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述二氧化钛掺杂层的厚度为50~300nm，所述有机硅小分子掺杂层的厚度为20~50nm。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述阳极层的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；

所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；

所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N′-（1-萘基）- N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺；

所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂。

7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（a）在玻璃基底上通过磁控溅射设备来制备阳极层；

（b）使用电子束蒸镀设备在步骤（a）制得的阳极层上制备二氧化钛掺杂层，然后使用热阻蒸镀设备在所述上制备有机硅小分子掺杂层，从而得到所述散热层；其中，

所述二氧化钛掺杂层的材质包括掺杂质量比为0.1:1~0.3:1的二氧化钛与荧光发光材料；所述有机硅小分子掺杂层的材质包括掺杂质量比为1:1~2:1的有机硅小分子与荧光发光材料；

所述的有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；

所述荧光发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝；

（c）在步骤（b）制得的散射层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（a）中磁控溅射设备的加速电压为300~800V，磁场为50~200G，功率密度为1~40 W/cm²。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（b）中，所述电子束蒸镀设备的电子束蒸镀能量密度为10~l00W/cm²，所述二氧化钛掺杂层的厚度为20~200nm；所述热阻蒸镀设备的蒸镀速率为0.1~1nm/s，所述有机硅小分子掺杂层的厚度为50~300nm。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（c）中，所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1~1nm/s，所述阴极层的蒸镀速率为1~10nm/s。