[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

现有发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差）。具体而言，当现有发光器件的玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光器件及其制备方法以提高有机电致发光器件的出光效率。

本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为：一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括二氧化钛掺杂层与有机硅小分子掺杂层；其中，

所述二氧化钛掺杂层的材质包括二氧化钛与荧光发光材料，所述有机硅小分子掺杂层的材质包括有机硅小分子与荧光发光材料；

所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）或p-双（三苯基硅）苯（UGH4）；

所述荧光发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq₃）。

进一步地，所述二氧化钛与所述荧光发光材料的掺杂质量比为0.1:1～0.3:1，所述有机硅小分子与所述荧光发光材料的掺杂质量比为1:1～2:1。

进一步地，所述二氧化钛的粒径为20～200nm。

进一步地，所述玻璃基底的折射率为1.8以上，可见光透过率为90%以上。所述可见光的波长优选为400nm。

进一步地，所述二氧化钛掺杂层的厚度为50～300nm，所述有机硅小分子掺杂层的厚度为20～50nm。

进一步地，所述阳极层的材质为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO）；

所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）；

所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、N,N'-（1-萘基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺（NPB）；

所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）、或8-羟基喹啉铝（Alq₃）；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI）；

所述电子注入层的材质为碳酸铯（Cs₂CO₃）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN₃）或氟化锂（LiF）。

所述阴极层为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）。

一种有机电致发光器件的制备方法，其包括如下步骤：

（a）在玻璃基底上通过磁控溅射设备来制备阳极层；

（b）使用电子束蒸镀设备在步骤（a）制得的阳极层上制备二氧化钛掺杂层，然后使用热阻蒸镀设备在所述上制备有机硅小分子掺杂层，从而得到所述散热层；其中，