[发明专利]一种OLED器件的封装结构有效
申请号: | 201310439395.0 | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN103490016A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 封装 结构 | ||
1.一种OLED器件的封装结构,包括相对设置的上基板和下基板、OLED器件、以及对所述上基板和下基板的周边进行密封的玻璃挡墙;其特征在于,所述上基板和所述下基板相对的两个面相抵,所述下基板具有一个开口朝向所述上基板的凹陷部,所述OLED器件位于所述凹陷部内;所述上基板具有开口朝向下基板的第一环形槽,所述下基板具有与所述第一环形槽相对、且开口朝向所述上基板的第二环形槽,所述玻璃挡墙的上部限位于所述第一环形槽,所述玻璃挡墙的下部限位于所述第二环形槽。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述OLED器件朝向所述上基板的一侧设有密封层,所述密封层与所述下基板的凹陷部周边密封配合,将所述OLED器件密封于所述凹陷部底部。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述凹陷部的侧壁具有阶梯型结构,所述凹陷部的侧壁具有的阶梯面与所述凹陷部的底面平行,所述OLED器件设置于所述凹陷部底面,所述密封层朝向所述凹陷部底面的一面与所述凹陷部内的阶梯面密封配合,且所述密封层的上表面与所述下基板的上表面平齐。
4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述密封层为由至少一层封装薄膜形成的密封层。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述密封层包括多层有机薄膜、或者多层无机薄膜、或者多层交替叠加的有机薄膜和无机薄膜。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述有机薄膜为由聚酰亚胺、聚脲、聚酰胺酸、聚丙烯酸、聚酯、聚乙烯、或聚丙烯制备的有机薄膜;
所述无机薄膜为由SiOx、SiNx、SiCxNy、SiOxNy、AlOx、SnO2、AlN、MgF2、CaF2、In2O3、或ITO制备的无机薄膜。
7.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述密封层为由树脂材料形成的密封层。
8.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述密封层包括干燥层和位于所述干燥层与所述上基板之间的填充层。
9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述填充层为硅油、树脂、或者液晶形成的透明填充层。
10.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述凹陷部的侧壁具有两层阶梯面,所述干燥层与一个所述阶梯面密封配合,所述填充层与另一个所述阶梯面密封配合。
11.根据权利要求1~10任一项所述的封装结构,其特征在于,所述第一环形槽的横截面的形状为弧形、三角形、矩形、或者梯形;
所述第二环形槽的横截面的形状为弧形、三角形、矩形、或者梯形。
12.根据权利要求1~10任一项所述的封装结构,其特征在于,所述上基板和下基板为玻璃基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择