[发明专利]MEMS集成器件的晶片级封装及相关制造工艺在审
申请号: | 201310444539.1 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN103663351A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | F·G·齐廖利 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 集成 器件 晶片 封装 相关 制造 工艺 | ||
1.一种用于MEMS集成器件的封装,所述封装包括:
第一本体,包括半导体材料并且集成微机械结构;
第二本体,包括半导体材料并且具有有源区域,所述有源区域集成电子电路并且耦合到所述微机械结构,所述第二本体限定所述封装的基部部分并且具有外表面和耦合到所述第一本体的内表面;
第一电接触,定位于所述外表面上并且耦合到所述电子电路;
路由层,具有与所述基部部分的所述外表面相接触的内表面;
电接触元件,定位于所述路由层的所述外表面上,所述路由层在所述第一电接触和所述电接触元件之间提供电连接路径;以及
第三本体,耦合到所述第二本体以闭合用于容纳所述第一本体的容纳空间,所述第三本体限定用于所述封装的覆盖部分。
2.根据权利要求1所述的封装,其中所述第二本体具有腔,所述腔具有在所述基部部分的所述内表面处的基部,所述第一本体耦合到所述基部,所述腔至少部分限定所述容纳空间。
3.根据权利要求2所述的封装,其中所述第二本体中的所述腔在竖直方向上具有适应所述第一本体的厚度的深度。
4.根据权利要求2所述的封装,其中所述第三本体具有与所述第二本体中的所述腔连通的腔,所述第三本体的所述腔与所述第二本体的所述腔联合地限定用于容纳所述第一本体的所述容纳空间。
5.根据权利要求1所述的封装,还包括定位于所述基部部分的所述内表面上的第二电接触,其中所述第二本体包括电穿通过孔,所述电穿通过孔穿越所述有源区域并且将所述第一电接触耦合到分别在所述基部部分的所述内表面上的所述第二电接触,所述第二电接触与所述第一本体中的所述微机械结构电耦合。
6.根据权利要求5所述的封装,还包括定位于所述第一本体上的第三电接触;以及
将所述第三电接触电耦合到所述第二电接触中的一个第二电接触的电接线。
7.根据权利要求5所述的封装,还包括位于所述第二电接触和倒装芯片配置中的所述第一本体的有源表面之间的传导区域。
8.根据权利要求1所述的封装,其中所述第三本体具有面向所述封装外部的外表面和面向所述容纳空间的内表面,并且所述第三本体包括用于射流访问所述容纳空间的至少一个访问开口。
9.根据权利要求8所述的封装,其中所述第三本体包括半导体材料。
10.根据权利要求1所述的封装,其中所述第三本体具有侧部部分并且所述第二本体具有侧部部分,所述第二本体和所述第三本体的所述侧部部分界定所述容纳空间,所述封装还包括将所述第二本体的键合区域与所述第三本体的键合区域分别键合的键合区域。
11.根据权利要求1所述的封装,其中所述第三本体具有腔,所述腔具有被配置为适应所述第一本体的厚度的深度。
12.根据权利要求1所述的封装,其中所述电接触元件包括凸块或者传导焊区的阵列。
13.根据权利要求1所述的封装,还包括涂层,所述涂层涂覆所述第二本体和所述第三本体的多个部分以及所述路由层的所述外表面的多个部分。
14.一种电子装置,包括:
封装,所述封装包括:
第一本体,包括半导体材料并且集成微机械结构;
第二本体,包括半导体材料并且具有有源区域,所述有源区域集成电子电路并且耦合到所述微机械结构,所述第二本体限定所述封装的基部部分并且具有外表面和耦合到所述第一本体的内表面;
第一电接触,定位于所述外表面上并且耦合到所述电子电路;
路由层,具有与所述基部部分的所述外表面相接触的内表面;
电接触元件,定位于所述路由层的所述外表面上,所述路由层在所述第一电接触和所述电接触元件之间提供电连接路径;以及
第三本体,耦合到所述第二本体以闭合用于容纳所述第一本体的容纳空间,所述第三本体限定用于所述封装的覆盖部分;以及
印刷电路板,耦合到所述封装的所述电接触元件。
15.根据权利要求14所述的电子装置,其中所述第二本体具有腔,所述腔具有在所述基部部分的所述内表面处的基部,所述第一本体耦合到所述基部,所述腔至少部分限定所述空间。
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