[发明专利]晶体管、包含晶体管的可变电阻存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310446378.X | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104009082A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 朴南均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/24;H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 包含 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶体管，包括：
有源柱体，所述有源柱体包括沟道区、形成于所述沟道区的一端的源极、以及形成于所述沟道区的另一端的轻掺杂漏极区和漏极；
第一栅电极，所述第一栅电极被形成为围绕所述轻掺杂漏极区的外围，且具有第一功函数；以及
第二栅电极，所述第二栅电极被形成为连接至所述第一栅电极并围绕所述沟道区，且具有高于所述第一功函数的第二功函数。
2.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一栅电极包括过渡金属层，所述过渡金属层包括选自包括钛Ti、钽Ta、钴Co和铂Pt的群组中的一种。
3.如权利要求2所述的晶体管，其中，所述第二栅电极包括金属氮化物层。
4.如权利要求2所述的晶体管，其中，所述第二栅电极包括过渡金属硅化物层。
5.如权利要求4所述的晶体管，其中，所述第二栅电极被形成为厚度大于所述第一栅电极的厚度。
6.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一栅电极形成于所述有源柱体的外部周缘，且所述第二栅电极形成于所述第一栅电极的外部周缘。
7.如权利要求6所述的晶体管，其中，所述第一栅电极被形成为高度小于所述第二栅电极的高度，且所述第二栅电极被形成为重叠于所述有源柱体而没有所述第一栅电极插入。
8.一种可变电阻存储器件，包括：
垂直晶体管，所述垂直晶体管包括：
有源柱体，所述有源柱体包括沟道区、形成于所述沟道区的一端的源极、以及形成于所述沟道区的另一端的轻掺杂漏极区和漏极；
第一栅电极，所述第一栅电极被形成为围绕所述轻掺杂漏极区的外围，且具有第一功函数；以及
第二栅电极，所述第二栅电极被形成为连接至所述第一栅电极并围绕所述沟道区，且具有高于所述第一功函数的第二功函数；以及
电阻存储结构，所述电阻存储结构连接至所述垂直晶体管的漏极。
9.如权利要求8所述的可变电阻存储器件，其中，所述第一栅电极包括过渡金属层，所述过渡金属层包括选自包括钛Ti、钽Ta、钴Co和铂Pt的群组中的任何一种。
10.如权利要求8所述的可变电阻存储器件，其中，所述第二栅电极包括金属氮化物层。
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