[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、液晶面板及显示装置有效
申请号: | 201310446572.8 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN103488003A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 王孝林 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 液晶面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、液晶面板及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。
液晶显示器按照显示模式可以分为:扭曲向列(Twisted Nematic,TN)型,平面转换(In Plane Switching,IPS)型和高级超维场开关(AdvancedSuperDimension Switch,ADS)型。其中,ADS模式液晶显示器通过液晶显示器中同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与不同层设置的面状公共电极层间产生的电场形成多维电场,该电场为水平电场,该水平电场使液晶盒内狭缝电极间、狭缝电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。针对不同应用,ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。
现有ADS模式液晶面板,在亚像素区域周围的非显示区域不可避免地设置各种电极结构,例如设置有栅线或数据线等结构,由于像素电极和公共电极位于不同层,二者之间形成的电场受亚像素周围电极结构的影响,尤其是受栅线、数据线等上方分布的绝缘层的影响,使得电场具有一定衰减,另外,由于亚像素显示区域的面积有限,公共电极的为平面状结构,公共电极和像素电极之间的电场强度不够理想,尤其是公共电极边缘与像素电极之间的电场强度较小,影响亚像素区域光线的穿透率,不利于实现高透过率、广视角的液晶面板和显示装置。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、液晶面板及显示装置,用以提供一种亚像素区域光线透过率较高的液晶面板和显示装置。
为实现上述目的,本发明实施例提供的阵列基板,包括:基板,位于所述基板上的亚像素,所述亚像素所在区域设置有第一电极和第二电极,以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层;所述第一电极和第二电极其中之一为公共电极,另一为像素电极;
其中,所述第一电极和第二电极至少之一的表面为曲面。
较佳地,还包括位于所述基板与所述第二电极之间的第二绝缘层,所述第二绝缘层具有沿第一方向延伸的凹槽区域,所述第二电极依照所述第二绝缘层的形状设置于其上形成凹槽状。
较佳地,所述基板具有沿第一方向延伸的凹槽区域,所述第二电极依照所述基板的形状设置于其上形成凹槽状。
较佳地,所述凹槽区域沿与所述第一方向垂直的第二方向的纵截面为倒立的梯形状。
较佳地,所述凹槽状第二电极的至少一个侧表面与所述基板之间的夹角非0°且非90°。
较佳地,所述凹槽状第二电极的两个侧表面,所述凹槽状第二电极的至少一个侧表面与所述基板之间的夹角为30°~75°
较佳地,所述第二绝缘层的凹槽区域的深度等于或小于除所述凹槽区域之外的区域的厚度。
较佳地,所述第一电极由一个或多个沿第一方向延伸的子电极组成,所述第一电极距离所述凹槽状第二电极的两个侧表面的最短距离为1~4.5um。
较佳地,还包括:位于各亚像素周围沿第一方向分布的多条栅线和沿与第一方向垂直的第二方向分布的多条数据线,所述第二绝缘层位于所述栅线上;或者还包括:
位于各亚像素周围沿第一方向分布的多条数据线和沿与第一方向垂直的第二方向分布的多条栅线,所述第二绝缘层位于所述数据线上。
较佳地,所述第二绝缘层为透明树脂或黑色遮光树脂。
本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法,包括以下步骤:
在基板上形成位于亚像素的区域中的第一电极和第二电极图形,以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层;所述第一电极和第二电极其中之一为公共电极,另一为像素电极;其中,所述第一电极和第二电极至少之一的表面为曲面。
较佳地,在基板上形成位于亚像素的区域中的第一电极和第二电极图形,以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层具体为:
在所述基板上形成一层设定厚度的绝缘层,采用构图工艺在该绝缘层的预设区域形成具有沿第一方向延伸的凹槽区域,具有凹槽区域的绝缘层为第二绝缘层;
在形成有所述第二绝缘层的基板上形成一层导电膜层,通过构图工艺形成位于所述第二绝缘层上的第二电极图形,所述第二电极依照所述第二绝缘层的形状设置于其上形成凹槽状;
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