[发明专利]制造方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造方法，包括：

形成由导体形成的第一层；

在所述第一层上形成第二层，所述第二层由具有第一蚀刻速率的材料形成；

图案化所述第二层，使得所述第二层的部分保留在所述第一层上；

改变所述第二层的所述部分的材料使得该材料在暴露于基于氯的反应离子蚀刻化学反应时具有小于所述第一蚀刻速率的第二蚀刻速率；以及

在改变所述第二层的所述部分的材料之后，利用基于氯的反应离子蚀刻化学反应并利用所述第二层的所述部分中的改变的材料作为硬掩模来蚀刻所述第一层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中图案化所述第二层包括∶

施加光致抗蚀剂层到所述第二层的上表面；和

在施加所述光致抗蚀剂层之后，蚀刻所述第二层以形成所述部分。

3.如权利要求2所述的制造方法，还包括：

在改变所述第二层的所述部分的材料之前，除去所述光致抗蚀剂层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其中所述第二层的材料在形成时是金属，改变所述第二层的所述部分的材料包括∶

氧化所述第二层的所述部分中的金属以形成金属氧化物。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中所述第二层的材料在形成时是金属，改变所述第二层的所述部分的材料包括∶

氧化所述第二层的所述部分中的金属以形成金属氧化物。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中所述第一层包括电容器结构的第一电极，该电容器结构用于铁电存储器的存储器单元，所述方法还包括∶

在形成所述第一层之前，在电绝缘体层上形成由导体形成的第三层；

在形成所述第一层之前，在所述第三层上形成由铁电材料形成的第四层，

其中所述第三层包括所述电容器结构的第二电极并且所述第四层包括所述电容器结构的电容器电介质。

7.如权利要求6所述的制造方法，还包括∶

将所述第二层与晶体管的源极耦接。

8.如权利要求1所述的制造方法，还包括∶

在形成所述第二层之前，在所述第一层上形成由电绝缘体形成的第三层使得所述第三层位于所述第一层和所述第二层之间。

9.如权利要求8所述的制造方法，还包括∶

在所述第二层被蚀刻之后，利用所述硬掩模和基于氯的反应离子蚀刻化学反应来蚀刻所述第三层。

10.如权利要求1所述的制造方法，其中所述第一层在不设置光致抗蚀剂层的情况下被蚀刻。

11.一种器件结构，包括∶

第一电极，由第一导体形成；

铁电层，在所述第一电极上；

第二电极，在所述铁电层上，所述第二电极由第二导体形成并具有上表面；和

盖层，位于所述第二电极的上表面上，

其中所述盖层所具有的成分不含钛。

12.如权利要求11所述的器件结构，其中所述第一导体由铂族金属或包含铂族金属的金属氧化物形成。

13.如权利要求12所述的器件结构，其中所述第二导体由铂族金属或包含铂族金属的金属氧化物形成。

14.如权利要求11所述的器件结构，其中所述第一导体由铱氧化物形成。

15.如权利要求11所述的器件结构，其中所述盖层由铝氧化物形成。

16.如权利要求11所述的器件结构，其中所述盖层与所述第二电极的上表面直接接触。

17.如权利要求11所述的器件结构，其中所述盖层的侧壁不具有来源于图案化所述第二电极的所述第二导体的轨道层，并且所述盖层不起泡。

18.如权利要求11所述的器件结构，其中所述第一电极、所述第二电极以及将所述第一电极与所述第二电极分离的所述铁电层形成用于铁电存储器的存储器单元的电容器结构。

19.如权利要求18所述的器件结构，还包括：

晶体管，具有漏极以及与所述第二电极耦接的源极。