[发明专利]一种亚微米X型分子筛的合成方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201310450128.3 申请日: 2013-09-27
公开(公告)号: CN103523796A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 徐华胜;胡杰;王鹏飞;夏思奇;回经龙;叶丽萍;孙蕴婕 申请(专利权)人: 上海绿强新材料有限公司;上海化工研究院
主分类号: C01B39/22 分类号: C01B39/22;B01J20/18
代理公司: 上海华工专利事务所 31104 代理人: 应云平
地址: 201806 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 微米 分子筛 合成 方法 及其 应用
【说明书】:

技术领域

发明属于分子筛技术领域,具体涉及一种亚微米X型分子筛的合成方法及其应用。

背景技术

X型分子筛因其特定的结构,在工业上有较为广泛的应用,如空气分离中的气体干燥、吸附分离和净化,重金属污染的废水处理等,如何调控分子筛的性能始终是研究开发工作的重点,SiO2/Al2O3比作为重要的影响因素首先受到广泛关注。如CN102417190A采用活性硅源法制备SiO2/Al2O3小于2.1的NaX型沸石,预先制备活性硅源,并放置1~10天,再投料制备,制备周期较长,工序环节多,不利于工业化生产。CN1191199C通过降低导向剂制备温度和沸石母液成胶温度,制备SiO2/Al2O3大于2.4的X型沸石,CN1448338A使用低温导向剂和低温老化法制备SiO2/Al2O3大于2.4的X型沸石,二者均需要一定的制冷设备,增加了制备成本。施平平等(天津化工[J],2004,18(3):19-21)采用水热合成法,从降低制备成本的角度出发,以煅烧高岭土为原料制备纳米沸石分子筛,并研究了反应体系碱度、晶化时间和搅拌速率对X型纳米沸石分子筛的影响,但制备的X型分子筛存在纯度较低的问题。

目前合成X型分子筛的方法多为导向剂法,整个合成需要一定的时间,合成的晶粒一般为3~5μm。在吸附分离领域,扩散问题是较为重要的问题,动态吸附条件下,大晶粒分子筛由于扩散通道较长,易导致动态吸附容量较静态吸附有明显下降。为满足一定的吸附量,在吸附剂中常采用增加分子筛相对用量的方法,但导致吸附热积聚增强,引起吸附剂易失活、再生频繁等问题。

甲醇制烯烃工艺由于原料不同,烯烃物流中存在痕量未转化的甲醇、二甲醚等含氧化合物,这些物质的存在对下游催化剂将造成不利影响,因此,需要对其进行深度净化处理。吸附-再生操作是较为经济可行的工艺方法,吸附剂中低碳烯烃与含氧物之间存在一定程度的竞争吸附,而使用小晶粒分子筛作为吸附剂主活性成分,将提高晶粒内吸附质扩散速率,促进分子筛利用率的提高。

微波作为一定波段的电磁波,具有穿透性、热惯性小、分子极性选择性加热等特点。与传统加热方式相比,微波加热具有热效应高,加热均匀,温度梯度小,环保节能,操作方便等优点。从20世纪80年代以来微波技术得到了迅猛发展,目前为止已有大量文献报道微波辅助合成分子筛,也已证明微波辅助合成能极大缩短合成时间,所得晶体颗粒大小均匀、粒径小。如Jin Park等(Journal of Materials Science Letters[J],2001,20(6):531-533)通过实验,用微波加热法合成了4A型分子筛,并且发现需要的加热时间很短;周荣飞等(无机化学学报[J],2006,22(9):1719-1722)利用微波法快速合成了T型分子筛;H.Youssef等(Microporous and Mesoporous Materials[J],2008,115(3):527-534)通过实验比较发现,运用微波所合成的A型分子筛晶体比常规水热合成的晶体更加纯净,性能更好。

发明内容

本发明针对常规合成的X型分子筛晶粒偏大的问题,通过引入弱极性水溶性分散剂,在发挥微波快速、均匀加热特点的基础上,利用互溶性混合溶剂中分子极性的差异,从微观上分散微波吸收区,在降低温度梯度的同时,实现微波区加热,既促进X型分子筛快速合成,又降低分子筛颗粒度,简化了制备工艺,降低了制备亚微米X型分子筛成本。

本发明制备的亚微米级X型分子筛,在应用于烯烃物流深度净化时,有利于提高吸附速率与吸附容量,降低吸附热积聚。

本发明提供的一种亚微米X型分子筛的合成方法,其特点在于,采用水热和微波加热相结合的方法,该方法包括以下步骤:

1)导向剂制备:将偏铝酸钠、硅溶胶、氢氧化钠溶解于去离子水中,在10℃-60℃下搅拌0.5-4h,静置6小时,得到溶胶混合物。

2)分子筛母液制备:将水玻璃、偏铝酸钠或者氢氧化铝、氢氧化钠加热到温度20-60℃,制备分子筛母液;

3)老化:在步骤2)制得的分子筛母液中加入步骤1)制得的溶胶混合物,搅拌均匀,再加入弱极性水溶性分散剂S,搅拌0.5-4h,在10-80℃,静置老化0.5-24小时;

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