[发明专利]一种沟槽型DMOS单元及其制备方法和DMOS器件在审
| 申请号： | 201310451145.9 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465754A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李姜 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 dmos 单元 及其 制备 方法 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽型DMOS单元的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
对具有双沟槽的半导体层进行刻蚀；
在刻蚀后的半导体层表面生长一层厚度为用于与半导体层表面进行氧化反应的牺牲氧化层；
腐蚀所述牺牲氧化层后，在所述半导体层表面生成栅氧。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度为或
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
腐蚀所述牺牲氧化层后，沟槽的开口宽度不大于第一门限值，且双沟槽之间的距离不小于第二门限值。
4.一种利用权利要求1所述的方法制备的沟槽型DMOS单元，其特征在于，双沟槽侧壁一定厚度的表面与厚度为的牺牲氧化层氧化反应掉。
5.如权利要求4所述的沟槽型DMOS单元，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度为或
6.如权利要求4所述的沟槽型DMOS单元，其特征在于，
腐蚀所述牺牲氧化层后，沟槽的开口宽度不大于第一门限值，且双沟槽之间的距离不小于第二门限值。
7.一种沟槽型DMOS器件，其特征在于，包括权利要求4～6任一所述的沟槽型DMOS单元。
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