[发明专利]一种沟槽型DMOS单元及其制备方法和DMOS器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种沟槽型DMOS单元及其制备方法和DMOS器件。

背景技术

现有技术中，沟槽型双扩散金属氧化物半导体（Double Diffused MOS，DMOS）器件的应用范围极其广泛，构成沟槽型DMOS器件的沟槽型DMOS单元的沟槽制备过程非常重要，主要包括：对半导体进行双沟槽刻蚀，并在刻蚀后暴露出来的表面生成一层厚度为的牺牲氧化物，然后利用湿法腐蚀掉该牺牲氧化层，进而再利用气相沉积等生产工艺在去除掉牺牲氧化层的半导体表面生成所需的栅氧。

然而，在沟槽型DMOS单元的制备过程中，双沟槽侧壁并不是垂直的，而是呈85度～87度倾斜状，在使用等离子体对半导体进行双沟槽刻蚀时，等离子体会对沟槽侧壁会造成损伤，导致出现源、漏极间的漏电通道，使沟槽型DMOS单元在形成器件时，源、漏极间漏电敏感，而对于沟槽型DMOS器件而言，源、漏极间是否漏电是衡量该器件本身的质量是否可靠的重要参数，按照上述工艺制备的沟槽型DMOS单元会影响所构成的沟槽型DMOS器件的正常运行。

发明内容

本发明实施例提供一种沟槽型DMOS单元及其制备方法和DMOS器件，用以解决现有技术中存在的沟槽型DMOS器件的源、漏极间漏电敏感的问题。

本发明实施例采用以下技术方案：

一种沟槽型DMOS单元的制备方法，所述方法包括：

对具有双沟槽的半导体层进行刻蚀；

在刻蚀后的半导体层表面生长一层厚度为用于与半导体层表面进行氧化反应的牺牲氧化层；

腐蚀所述牺牲氧化层后，在所述半导体层表面生成栅氧。

在本发明实施例提供的沟槽型DMOS单元的制备方法中，通过增大牺牲氧化层的厚度，使得在牺牲氧化层与刻蚀后的半导体层进行氧化反应时，可以将在刻蚀过程中对沟槽侧壁造成的损伤部位几乎完全氧化掉，从而，可以最大程度地降低沟槽损伤部位的存在，在一定程度上避免了源、漏极间的漏电，有效改善源、漏极间漏电敏感的问题。

优选地，所述牺牲氧化层的厚度为或

在本发明实施例提供的沟槽型DMOS单元的制备方法中，可以根据实际需求和工艺设备的限制，选择合适的牺牲氧化层的厚度，在一定程度上提高了制备工艺的灵活性。

优选地，腐蚀所述牺牲氧化层后，沟槽的开口宽度不大于第一门限值，且双沟槽之间的距离不小于第二门限值。

在本发明实施例提供的沟槽型DMOS单元的制备方法中，使沟槽的开口宽度不至于过大，双沟槽之间的距离不至于过小，可使后续工艺能够正确执行。

一种利用沟槽型DMOS单元的方法制备的沟槽型DMOS单元，双沟槽侧壁一定厚度的表面与厚度为的牺牲氧化层氧化反应掉。

在本发明实施例提供中，提供了一种利用沟槽型DMOS单元的方法制备的沟槽型DMOS单元，在制备该沟槽型DMOS单元时，通过增大牺牲氧化层的厚度，使得在牺牲氧化层与刻蚀后的半导体层进行氧化反应时，可以将在刻蚀过程中对沟槽侧壁造成的损伤部位几乎完全氧化掉，从而，可以降低沟槽损伤部位的存在，在一定程度上避免了源、漏极间的漏电，有效改善源、漏极间漏电敏感的问题。

优选地，所述牺牲氧化层的厚度为或

在本发明实施例中，提供了一种利用沟槽型DMOS单元的方法制备的沟槽型DMOS单元，在其制备过程中，可以根据实际需求和工艺设备的限制，选择合适的牺牲氧化层的厚度，在一定程度上提高了制备工艺的灵活性。

优选地，腐蚀所述牺牲氧化层后，沟槽的开口宽度不大于第一门限值，且双沟槽之间的距离不小于第二门限值。

在本发明实施例中，提供了一种利用沟槽型DMOS单元的方法制备的沟槽型DMOS单元，在其制备过程中，使沟槽的开口宽度不至于过大，双沟槽之间的距离不至于过小，可使后续工艺能够正确执行。

一种沟槽型DMOS器件，包括所述的沟槽型DMOS单元。

在本发明实施例提供中，提供了一种包括沟槽型DMOS单元的沟槽型DMOS器件，在制备沟槽型DMOS单元时，通过增大牺牲氧化层的厚度，使得在牺牲氧化层与刻蚀后的半导体层进行氧化反应时，可以将在刻蚀过程中对沟槽侧壁造成的损伤部位几乎完全氧化掉，从而，可以降低沟槽损伤部位的存在，在一定程度上避免了源、漏极间的漏电，有效改善源、漏极间漏电敏感的问题。

附图说明