[发明专利]一种优化光学临近修正拟合结果的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种优化光学临近修正拟合结果的方法。

背景技术

集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸（critical dimension，CD），随着关键尺寸的缩小，甚至缩小至纳米级，而正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。

光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对与其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，在将图案转移到硅片的过程中会发生失真现象，如果不消除这种失真现象会导致整个制造技术的失败。因此，当特征尺寸（feature size）以及图案密度（pattern density）到亚微米（sub-micrometer level）级别时，对所述掩膜版进行光学临近修正（Optical Proximity Correction,OPC），所述OPC方法即为对所述光刻掩膜版进行光刻前预处理，进行预先修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应。

通过OPC修正方法来校正所述光学临近效应，OPC修正需要确保模拟结果和晶圆的实际测量结构非常接近，所述模拟结果和实际测量之间的误差，通常称之为拟合误差（fitting error），如图1所示，图中示出了拟合误差在+/-1.5nm的示意图，所述拟合误差在+/-1.5nm之间认为是可以被接受的，但是对于较小的特征尺寸时，关键特征在50-100nm时，所述拟合误差基本都大于0.6nm，对于该尺寸的器件来说所述误差是不能接受的，因为在较小的器件尺寸下，所述小尺寸的线是非常关键的，对于特征尺寸较大的器件来说，当关键尺寸在200-800nm时，其拟合误差为-1nm，因此，所以这些点应该影响较小的尺寸线的OPC模型的运行。

现有技术中虽然可以对全部特征尺寸进行很好的模拟，但是没有考虑不同特征尺寸的图案的实际需求，影响不同特征尺寸的图案的制备精度，从而导致器件良率降低，因此需要对目前OPC中拟合误差做进一步的优化，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种优化光学临近修正拟合结果的方法，包括：

在光学临近修正过程中对晶圆版图进行模拟以及对晶圆版图进行实际制备，然后通过公式（I）计算模拟晶圆版图中图案特征的关键尺寸和实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的均方根值RMS，以监控和优化光学临近修正过程中的模拟结果；

其中，所述W_i为所述图案特征关键尺寸的权重，CD_{i（模拟）}为所述模拟晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值，所述CD_{i（测量）}为所述实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值。

作为优选，所述方法包括：

步骤（1）根据目标晶圆版图建立光学临近修正模型，选用所述光学临近修正模型进行模拟，并测量不同所述图案特征的关键尺寸，得到CD_{i（模拟）}；

步骤（2）根据目标晶圆版图进行晶圆的实际生产，得到所述实际晶圆版图，测量与模拟过程中相对应的所述图案特征的关键尺寸，得到CD_i（测量）_；

步骤（3）选用公式I对所述模拟结果进行评价，以使光学临近修正结果更加合理。

作为优选，所述步骤（1）中通过考虑关键尺寸不同的所述图案特征的影响，来建立光学临近修正模型。

作为优选，所述步骤（1）中根据关键尺寸的大小按比例来调整其在模型建立中的权重，来建立所述光学临近修正模型。

作为优选，所述方法以所述晶圆版图中关键尺寸最小的所述图案特征为标准点。

作为优选，在所述步骤（3）之前还进一步包括制定所述光学临近修正的质量标准。

作为优选，所述步骤（3）中对所述模拟结果进行评价的方法为：