[发明专利]阵列基板及其制备方法、液晶显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：

步骤1：在基底上通过使用阶梯曝光的构图工艺形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体层、第一透明电极的图形；其中，所述栅绝缘层不超出栅极和栅线上方；

步骤2：在完成前述步骤的基底上形成钝化层，并在钝化层中形成与半导体层相连的源极过孔和漏极过孔；

步骤3：在完成前述步骤的基底上通过构图工艺形成包括源极、漏极的图形，并通过构图工艺形成包括第二透明电极的图形；其中，所述源极、漏极分别通过源极过孔、漏极过孔与半导体层电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤11、在基底上依次形成透明导电材料层、绝缘材料层、半导体材料层、光刻胶层；

步骤12、对光刻胶层阶梯曝光并显影，使栅极位置保留第一厚度的光刻胶层，栅线位置保留第二厚度的光刻胶层，第一透明电极位置保留第三厚度的光刻胶层，其余位置无光刻胶层，其中第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于第三厚度；

步骤13、除去无光刻胶区域的半导体材料层、绝缘材料层、透明导电材料层；

步骤14、除去第三厚度的光刻胶层，使第一透明电极位置的半导体材料层暴露；

步骤15、除去第一透明电极位置的半导体材料层、绝缘材料层，形成第一透明电极的图形；

步骤16、除去厚度等于栅线位置剩余光刻胶层厚度的光刻胶层，使栅线位置的半导体层暴露；

步骤17、除去栅线位置的半导体材料层，形成栅线的图形；

步骤18、除去剩余的光刻胶层，形成栅极、栅绝缘层、半导体层的图形。

3.根据权利要求2所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述步骤17具体包括：

除去栅线位置的半导体材料层，并除去栅线位置的绝缘材料层，形成栅线的图形。

4.根据权利要求2所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述步骤11还包括：在透明导电材料层和绝缘材料层间形成栅金属层；

所述步骤13还包括：除去无光刻胶区域的栅金属层；

所述步骤15还包括：除去第一透明电极位置的栅金属层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述阶梯曝光通过灰度掩膜板或半色调掩膜板实现。

6.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述半导体层由金属氧化物半导体材料制成。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极，与漏极电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述源极、漏极、第二透明电极均形成在钝化层上。

9.根据权利要求7所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述源极、漏极形成在钝化层上；

在形成源极、漏极和形成第二透明电极之间，还包括：形成平坦化层，并在平坦化层中形成与漏极相连的第一过孔；

所述第二透明电极形成在平坦化层上，并通过第一过孔与漏极电连接。

10.根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述第一透明电极与漏极电连接，为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；

所述步骤2还包括：在钝化层中形成与第一透明电极相连的第二过孔，所述漏极通过第二过孔与第一透明电极电连接。

11.根据权利要求10所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述源极、漏极形成在钝化层上；

在形成源极、漏极和形成第二透明电极之间，还包括：形成平坦化层；

所述第二透明电极形成在平坦化层上。