[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括薄膜晶体管、像素电极、以及设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述像素电极之间的图案层；

其中，所述图案层包括断开区域，所述断开区域与所述源极和所述漏极之间的间隙对应；

所述断开区域的最小宽度大于所述源极和所述漏极之间的间隙的宽度，且所述断开区域至少将所述薄膜晶体管的漏极露出；

所述像素电极与被所述断开区域露出的所述漏极电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述图案层包括有机透明绝缘层和位于所述有机透明绝缘层下方的粘附层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置在所述像素电极上方的钝化层和公共电极；

其中，所述粘附层和所述有机透明绝缘层均包括所述断开区域。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置在所述有机透明绝缘层和所述像素电极之间的公共电极和钝化层；

其中，所述粘附层、所述有机透明绝缘层和所述钝化层均包括所述断开区域。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括与所述像素电极同层且间隔设置的公共电极；

其中，所述粘附层和所述有机透明绝缘层均包括所述断开区域。

6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括与所述像素电极同层设置的透明电极保留图案，且所述透明电极保留图案至少与所述源极对应并位于所述源极上方；

其中，所述断开区域还将所述薄膜晶体管的源极露出，所述透明电极保留图案与被所述断开区域露出的所述源极电连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括数据线；

所述数据线与所述透明电极保留图案和/或所述源极电连接。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括半导体有源层；

其中，所述半导体有源层包括非晶硅层和n+非晶硅层；或者所述半导体有源层包括金属氧化物半导体有源层。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的阵列基板。

11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上通过一次构图工艺形成包括栅极的图案；

在形成有包括所述栅极的图案的基板上形成栅绝缘层；

在形成有所述栅绝缘层的基板上通过一次构图工艺形成第一图案和位于所述第一图案上方的第二图案；其中，所述第一图案与半导体有源层的图案对应，所述第二图案与待形成的源极和漏极对应；

在形成有所述第二图案的基板上形成包括断开区域的图案层，所述断开区域与待形成的源极和漏极之间的间隙对应；其中，所述断开区域的最小宽度大于所述源极和所述漏极之间的间隙的宽度，且所述断开区域至少将所述漏极露出；

在形成有所述图案层的基板上通过一次构图工艺至少形成包括源极和漏极的图案、以及像素电极；所述像素电极与被所述断开区域露出的所述漏极电连接。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述图案层包括粘附层和有机透明绝缘层。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在至少形成包括所述源极和所述漏极的图案、以及所述像素电极之前，所述方法还包括：

通过一次构图工艺形成公共电极；

在形成有所述公共电极的基板上形成钝化层薄膜；

其中，在形成有所述第二图案的基板上形成包括所述断开区域的粘附层、有机透明绝缘层和钝化层，具体包括：

在形成所述公共电极和所述钝化层薄膜之前，在形成有所述第二图案的基板上依次形成所述粘附层薄膜和所述有机透明绝缘层薄膜，对所述有机透明绝缘层薄膜进行一次构图工艺，形成包括所述断开区域的有机透明绝缘层；

在形成所述公共电极和所述钝化层薄膜之后，对所述粘附层薄膜和所述钝化层薄膜进行一次构图工艺，形成包括所述断开区域的粘附层和钝化层。