[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在平板显示技术领域占据着主导地位，受到了人们的广泛关注。

现有技术中制备阵列基板时，为了减少构图工艺的次数，引入半色调掩膜工艺将半导体有源层和源、漏极通过一次构图工艺形成，但这会导致工艺难度的增加，从而可能引起薄膜晶体管性能的不稳定。

此外，为了优化阵列基板的性能并增加其平坦度，通常会在阵列基板中引入至少一层具有其它特定功能的图案层。然而，制备具有其它特定功能的图案层时，还需进行相应次数的构图工艺，而每一次构图工艺中又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。

本发明在避免半色调掩膜工艺的基础上，提出一种新的阵列基板的结构，可简化工艺难度，节约成本。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可避免半色调掩膜工艺的使用，简化工艺难度、节约成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管、像素电极、以及设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述像素电极之间的图案层；其中，所述图案层包括断开区域，所述断开区域与所述源极和所述漏极之间的间隙对应；所述断开区域的最小宽度大于所述源极和所述漏极之间的间隙的宽度，且所述断开区域至少将所述薄膜晶体管的漏极露出；所述像素电极与被所述断开区域露出的所述漏极电连接。

可选的，所述图案层包括有机透明绝缘层和位于所述有机透明绝缘层下方的粘附层。

进一步可选的，所述阵列基板还包括依次设置在所述像素电极上方的钝化层和公共电极；其中，所述粘附层和所述有机透明绝缘层均包括所述断开区域。

可选的，所述阵列基板还包括依次设置在所述有机透明绝缘层和所述像素电极之间的公共电极和钝化层；其中，所述粘附层、所述有机透明绝缘层和所述钝化层均包括所述断开区域。

可选的，所述阵列基板还包括与所述像素电极同层且间隔设置的公共电极；其中，所述粘附层和所述有机透明绝缘层均包括所述断开区域。

进一步可选的，所述阵列基板还包括与所述像素电极同层设置的透明电极保留图案，且所述透明电极保留图案至少与所述源极对应并位于所述源极上方；其中，所述断开区域还将所述薄膜晶体管的源极露出，所述透明电极保留图案与被所述断开区域露出的所述源极电连接。

进一步的，所述阵列基板还包括数据线；所述数据线与所述透明电极保留图案和/或所述源极电连接。

可选的，所述薄膜晶体管包括半导体有源层；其中，所述半导体有源层包括非晶硅层和n+非晶硅层；或者所述半导体有源层包括金属氧化物半导体有源层。

可选的，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。

另一方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

再一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上通过一次构图工艺形成包括栅极的图案；在形成有包括所述栅极的图案的基板上形成栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的基板上通过一次构图工艺形成第一图案和位于所述第一图案上方的第二图案；其中，所述第一图案与半导体有源层的图案对应，所述第二图案与待形成的源极和漏极对应；在形成有所述第二图案的基板上形成包括断开区域的图案层，所述断开区域与待形成的源极和漏极之间的间隙对应；其中，所述断开区域的最小宽度大于所述源极和所述漏极之间的间隙的宽度，且所述断开区域至少将所述漏极露出；在形成有所述图案层的基板上通过一次构图工艺至少形成包括源极和漏极的图案、以及像素电极；所述像素电极与被所述断开区域露出的所述漏极电连接。

可选的，所述图案层包括粘附层和有机透明绝缘层。

进一步可选的，在形成有所述第二图案的基板上形成包括断开区域的粘附层和有机透明绝缘层，具体包括：在形成有所述第二图案的基板上依次形成粘附层薄膜和有机透明绝缘层薄膜，并通过一次构图工艺，形成包括所述断开区域的粘附层和有机透明绝缘层。

进一步的，在至少形成包括所述源极和所述漏极的图案、以及所述像素电极之后，所述方法还包括：在所述像素电极的上方依次形成钝化层和公共电极。