[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成于衬底基板上并且包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

设置在衬底基板和有源层之间的、用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层，所述感光层至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层所在的区域。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述感光层覆盖每一像素单元的非显示区域。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层位于所述感光层的上方区域。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述感光层的材料为光致变色材料。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光致变色材料通过将卤化银与微量铜的微颗粒混合在透明绝缘材质中形成；或者，所述光致变色材料通过将氧化物、氧化锰、二氧化钛等过渡金属氧化物添加到透明绝缘材质中形成。

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光致变色材料为有机光致变色材料。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅极位于所述衬底基板的上方；

所述栅绝缘层位于所述栅极所在层的上方；

所述有源层位于所述栅绝缘层的上方；

所述源极和漏极同层设置，位于所述有源层的上方；

所述感光层位于所述有源层与所述栅绝缘层之间，或者所述感光层位于所述栅绝缘层与所述栅极之间，或者所述感光层位于所述栅极与所述衬底基板之间。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述源极和漏极同层设置，位于所述衬底基板的上方；

所述有源层位于所述源极和漏极所在层的上方；

所述栅绝缘层位于所述有源层的上方；

所述栅极位于所述栅绝缘层的上方；

所述感光层位于所述衬底基板与所述源极和漏极所在层之间。

9.一种阵列基板，所述阵列基板包括多个呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求1～8任一权项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求9所述的阵列基板。

11.一种在衬底基板上制备薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：

形成栅极的步骤，

形成栅绝缘层的步骤，

形成有源层的步骤，

形成源极和漏极的步骤，

其特征在于，在形成有源层的步骤之前，所述方法还包括形成用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层的步骤，使得所述感光层形成在衬底基板和有源层之间，所述感光层至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层所在的区域。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法具体包括：

在衬底基板上形成包括栅极的图形；

在所述包括栅极的图形的上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的上方形成包括有源层的图形；

在所述包括有源层的图形的上方形成包括源极和漏极的图形。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述衬底基板上形成包括感光层的图形，所述感光层位于所述衬底基板与栅极所在层之间；

或者，在所述包括栅极的图形的上方形成包括感光层的图形，所述感光层位于所述栅极所在层与栅绝缘层之间；

或者，在所述栅绝缘层的上方形成包括感光层的图形，所述感光层位于所述栅绝缘层和有源层之间。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法具体包括：

在所述衬底基板上形成包括感光层的图形；

在所述包括感光层的图形的上方形成包括源极和漏极的图形；

在所述包括源极和漏极的图形的上方形成包括有源层的图形；

在所述包括有源层的图形的上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的上方形成包括栅极的图形。