[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD在各种大中小尺寸的产品上得到了广泛的应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品，如液晶电视、高清晰度数字电视、电脑、手机、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、公共显示和虚幻显示等。

TFT-LCD由液晶显示面板、驱动电路以及背光模组组成，液晶显示面板是TFT-LCD的重要部分。液晶显示面板是通过在阵列基板和彩膜基板之间注入液晶，四周用封框胶密封，然后在阵列基板和彩膜基板上分别贴敷偏振方向相互垂直的偏振片等过程形成的。参见图1和图2，图1为现有技术中阵列基板的平面结构示意图，图2为沿图1中A-A′方向的阵列基板的剖面结构示意图；从图1和图2中可以看出，所述阵列基板包括衬底基板100，在衬底基板100上交叉设置的扫描线101和数据线102，以及呈矩阵式排列的薄膜晶体管10和像素电极108；其中，所述薄膜晶体管10包括栅极103、栅绝缘层104、有源层105、源极106和漏极107。

但是，在所述薄膜晶体管的结构设计工艺中，特别是形成有源层105的工艺设计中，存在有源层残留是很难避免的，处于源极和漏极周边区域下方的部分有源层受到光照影响，将会产生电子-空穴对；即便是在薄膜晶体管关闭的状态下，也会存在较大的暗电流（Ioff），参见图3，从图3中可以看出，随着光照的增强，在一定范围内Ioff电流值呈现线性增大的趋势，且不同区域的薄膜晶体管的Ioff的特性也有较大的差异；在来自背光源的光照较强的情况下，不同区域的薄膜晶体管保持电荷的能力不同；Ioff越大，对薄膜晶体管的影响就会越大，导致薄膜晶体管液晶显示器的面域特性不均，形式闪烁不均；同时，在施加正负电压值时，Ioff对于正负电压的影响程度不一样，造成的正负电压不对称，长时间处在正负电压不对称的工作状态下会形成直流电压残留，最终造成影像残留；相对无光照或光照较弱的情况，在光照较强的情况下由于Ioff过大所引起的薄膜晶体管的保持电荷会造成灰阶差异，而且能够被肉眼识别，在利用背光源脉冲宽度调制技术调制背光源时，将会在显示面板上看到扫描纹干扰。

发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，用以减小薄膜晶体管中的暗电流，改善因暗电流所引起的不良显示，同时不影响对薄膜晶体管的检测。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成于衬底基板上并包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层，所述薄膜晶体管还包括：设置在衬底基板和有源层之间的、用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层，所述感光层至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层所在的区域。

所述薄膜晶体管中，设置有位于衬底基板和有源层之间的、用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层，所述感光层至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层所在的区域，所述感光层能够吸收进入到薄膜晶体下方区域内的光变为不透明状态，进而使得来自背光源的光无法照射到有源层，因此在有源层中不会产生由光照所引起的电子-空穴对，进而使得暗电流减小，消除由暗电流所引起的不良显示；同时，在光照较弱的条件下，所述感光层为透明状态，有利于清晰地观察薄膜晶体管的结构，便于检测和分析薄膜晶体管的不良问题。

较佳的，所述感光层覆盖每一像素单元的非显示区域，用于将照射到所述漏极和所述源极之间的区域的部分光线遮住，有利于进一步减小薄膜晶体管的暗电流。

较佳的，所述有源层位于所述感光层的上方区域，使得所述有源层下方的光全部被遮住，有效的防止来自背光源的光照射到有源层上。

较佳的，所述感光层的材料为光致变色材料，所述光致变色材料，在有光照较强的条件下，会变为不透明状态，可以有效的阻挡来自背光源的光的透过；在光照较弱的条件下，所述光致变色材料为透明状态，有利于清晰地观察薄膜晶体管的结构，便于分析和检测薄膜晶体管的不良问题。

较佳的，所述光致变色材料通过将卤化银与微量铜的微颗粒混合在透明绝缘材质中形成；或者，所述光致变色材料通过将氧化物、氧化锰、二氧化钛等过渡金属氧化物添加到透明绝缘材质中形成。

较佳的，所述光致变色材料为有机光致变色材料。