[发明专利]半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 201310455031.1 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103715173A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 南志昌 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;汤春龙 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【权利要求书】：
1. 一种半导体集成电路装置，具有：
半导体衬底；
元件分离绝缘膜，设于所述半导体衬底的表面；
多个虚熔丝，由在所述元件分离绝缘膜上隔开间隔配置的第一多晶硅形成；
氮化硅膜，覆盖所述多个虚熔丝；
熔丝元件，由隔着所述氮化硅膜在所述多个虚熔丝之间配置的第二多晶硅形成；
绝缘膜，配置在所述熔丝元件以及所述多个虚熔丝上；
密封件，隔着所述绝缘膜，在所述熔丝元件以及所述多个虚熔丝上无缝隙地配置；
第一布线层，经由设于所述绝缘膜的连接孔连接于所述熔丝元件；
第一金属间绝缘膜以及SOG膜以及第二金属间绝缘膜，在所述第一布线层与在其上方配置的第二布线层之间配置；
保护膜，设于所述第二金属间绝缘膜上；以及
开口区域，选择性地去除所述保护膜并在所述熔丝元件的上方设置，用于容易地实施熔丝切断。
2. 根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述密封件通过与所述第一布线层相同的材料同时地形成。
3. 根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述密封件下方的所述绝缘膜被平坦化。
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