[发明专利]高台阶落差的半导体产品及其制作方法

权利要求书

1.一种高台阶落差的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

形成存在高台阶落差的第一区域和平坦的第二区域；

在所述第一区域上形成第一厚度的光刻胶，在所述第二区域上形成第二厚度的光刻胶，其中，第二厚度小于第一厚度；

在对所述第二区域上的光刻胶进行曝光显影之后，利用得到的光刻胶的图形对所述第二区域进行刻蚀，形成第二区域的图形；

所述在所述第一区域上形成第一厚度的光刻胶，在所述第二区域上形成第二厚度的光刻胶包括：

在芯片的场环区的氧化层上形成第一厚度的光刻胶，在芯片的平坦区的氧化层上形成第二厚度的光刻胶。

2.根据权利要求1所述的高台阶落差的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述在芯片的场环区的氧化层上形成第一厚度的光刻胶，在芯片的平坦区的氧化层上形成第二厚度的光刻胶包括：

在所述场环区和所述平坦区的氧化层上均涂覆第三厚度的光刻胶，其中第一厚度等于第二厚度和第三厚度之和；

通过曝光显影去除所述平坦区的氧化层上覆盖的第三厚度的光刻胶；

在所述场环区和所述平坦区的氧化层上均涂覆第二厚度的光刻胶。

3.根据权利要求2所述的高台阶落差的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述第二厚度的光刻胶的分辨率大于所述第三厚度的光刻胶的分辨率。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的高台阶落差的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述在对所述第二区域上的光刻胶进行曝光显影之后，利用得到的光刻胶的图形对所述第二区域进行刻蚀，形成第二区域的图形包括：

对所述平坦区的氧化层上覆盖的第二厚度的光刻胶进行曝光显影，得到第二厚度的光刻胶的图形；

利用所述光刻胶的图形对所述平坦区的氧化层进行刻蚀，并在刻蚀后去除所述平坦区的氧化层上覆盖的光刻胶，形成所述平坦区的氧化层的图形。

5.根据权利要求4所述的高台阶落差的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述形成所述平坦区的氧化层的图形之后还包括：

利用所述平坦区形成的氧化层的图形做屏蔽，对所述平坦区的衬底进行刻蚀，形成沟槽图形。

6.根据权利要求1所述的高台阶落差的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述第一厚度为1-3微米，所述第二厚度为0.1-0.8微米。

7.一种高台阶落差的半导体产品，其特征在于，为采用权利要求1-6中任一项所述的高台阶落差的半导体产品的制作方法制作而成。