[发明专利]芯片装置,芯片封装和用于制作芯片装置的方法在审

专利信息
申请号: 201310455546.1 申请日: 2013-09-30
公开(公告)号: CN103715161A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 张翠嶶;J.赫格劳尔;G.内鲍尔;R.奥特伦巴 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马丽娜;胡莉莉
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 装置 封装 用于 制作 方法
【说明书】:

技术领域

各种实施例总体上涉及芯片装置,芯片封装和用于制作芯片装置的方法。

背景技术

芯片接触区域,例如源极和/或漏极接触每个通常被提供有电压直通连接元件,例如导电线,导电引线或者线夹。此外,源极感测引线可以被连接到源极接触以测量和/或监测源极接触的电势。源极感测引线可以通过另外的再分配元件连接到源极接触,例如通过导电线。导电线可以例如通过线结合被连接到源极接触。这些多个接触机构可以导致另外的封装成本,其具体地可以被归因于对额外源极感测引线的需要。

发明内容

各种实施例提供芯片封装,其包括:芯片载体;电压供应引线;感测端子;设置在芯片载体上的芯片,该芯片包括第一端子和第二端子,其中第一端子电接触芯片载体;形成在第二端子上的导电元件,该导电元件将第二端子电耦合到电压供应引线和感测端子。

附图说明

在附图中,贯穿不同视图,相似的参考字符通常指的是相同的部分。附图不一定按比例绘制,而是将重点通常放在说明本发明的原理上。在下面的描述中,参照下面的附图来描述本发明的各种实施例,其中:

图1示出根据各种实施例的用于制作芯片装置的方法;

图2示出根据各种实施例的用于制作芯片装置的方法的示例性视图;

图3A示出芯片装置的顶视图图示;

图3B示出芯片装置的截面图示;

图3C示出根据各种实施例的芯片装置的顶视图图示;

图3D示出根据各种实施例的芯片装置的截面图示;

图4示出根据各种实施例的芯片装置的顶视图;

图5示出根据各种实施例的芯片装置的顶视图;

图6示出根据各种实施例的芯片装置的顶视图;

图7示出根据各种实施例的芯片装置的顶视图;

图8示出根据各种实施例的芯片装置的顶视图。

具体实施方式

下面详细的描述参照附图,所述附图作为示例示出其中本发明可被实施的具体细节和实施例。

本文使用词“示例性的”来意指“用作实例,例子,或者示例”等。本文描述为“示例性的”的任何实施例或者设计不一定被解释为比其它实施例或者设计优选或者有利。

 词“上面”在本文被用来描述在面或者表面“上面”形成特征,例如层,并且可以被用来表示该特征,例如该层,可以“直接”形成在暗指的面或者表面“上”,例如与暗指的面或者表面直接接触。词“上面”在本文也可以被用来描述在面或者表面“上面”形成特征,例如层,并且可以被用来表示该特征,例如该层,可以“间接”形成在暗指的面或者表面“上”,其中在暗指的面或者表面和被形成的层之间布置一个或者多个另外的层。

各种实施例提供可以使用接触线夹用于源极感测的芯片装置,同时避免使用另外的线结合(WB)用于源极感测。

图1示出根据实施例的用于制作芯片装置的方法100。方法100可以包括:

在芯片载体上设置包括第一端子和第二端子的芯片,其中该第一端子电接触芯片载体(在110中);并且

在第二端子上形成导电元件,该导电元件将第二端子电耦合到电压供应引线和感测端子(在120中)。

图2示出根据实施例的用于制作芯片装置的方法200的示例性视图210至260。方法200可以包括已经关于方法100描述的工艺中的一个或多个或全部。

如在视图210中所示,方法200可以包括提供芯片载体202。芯片载体202可以包括引线框的至少一部分。例如,芯片载体可以包括来自下面材料组的至少一种材料,元素或者合金,该组由下述构成:铜,铝,银,锡,金,钯,锌,镍,铁。芯片载体202可以包括至少一个基本平面状表面204。此外,可以提供一个或者多个导电引线。如作为实例示出的,为了说明的目的,一个或者多个导电引线可以包括一个或者多个电压供应引线206,例如源极引线,一个或者多个另外的电压供应引线208,例如漏极引线和感测端子212。该一个或者多个引线可以包括引线框材料。作为实例,该一个或者多个引线可以是导电腿或者导电延伸部,其可以是或者可以已经是引线框的一部分。一个或者多个引线可以包括来自下面材料组的至少一种材料,元素或者合金,该组由下述构成:铜,铝,银,锡,金,钯,锌,镍,铁。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310455546.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top