[发明专利]引线框架的电镀方法

说明书

技术领域

本发明涉及引线框架制作技术领域，具体涉及一种引线框架的电镀方法。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是制作生产集成电路半导体元件的基本部件。现有技术中引线框架的制作一般以铜合金片为基材，经过蚀刻、电镀、背面贴胶带后成为引线框架，该引线框架继续上芯片、焊引线、塑封、撕胶带、背面镀锡、切割成型等一系列步骤后，制成集成电路（IC）元件。

目前引线框架的电镀方法为在蚀刻完成的基材片表面进行局部区域电镀，电镀金属为银或镍钯金。当电镀金属为镍钯金时在基材片表面依次电镀镍层、钯层、金层。为了增加电镀层与基材片的粘合性，一般先对需要电镀的区域进行一个粗糙化处理，现有技术一般采用将蚀刻完成的基材片放入过硫酸铵溶液进行微蚀。该引线框架的电镀方法存在以下缺陷：电镀层与基材片之间的结合性还不是很好，从而影响引线框架的整体稳定性和可靠性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种引线框架的电镀方法，该电镀方法使电镀层与基材片之间的结合牢固，从而提高了引线框架的整体稳定性和可靠性。

本发明所采用的技术方案为：

一种引线框架的电镀方法，包括以下步骤：

（1）对蚀刻完成的铜合金基材片进行除油处理；

（2）对步骤（1）所得的基材片放入粗糙药水中进行微蚀，浸泡时间为20-60秒，粗糙药水为60～150g/Lt的KONI#151-M（微蚀剂）和1～4ml/Lt的KONI#151-R（稳定剂）、或5～20ml/Lt的硫酸（98%试剂级）溶液；

（3）用清水进行清洗，并烘干；

（4）对需要进行电镀的区域进行电镀镍层，镍层厚度为0.5-2.0mm；

（5）放入粗糙药水中进行微蚀，浸泡时间为20-60秒，粗糙药水为60～150g/Lt的KONI#151-M（微蚀剂）和1～4ml/Lt的KONI#151-R（稳定剂）、或5～20ml/Lt的硫酸（98%试剂级）溶液；

（6）用清水进行清洗，并烘干；

（7）在镍层的表面进行电镀钯层，钯层厚度为20-150nm；

（8）在钯层的表面进行电镀金层，金层厚度为3-15nm。

以上所述试剂KONI#151-M、KONI#151-R购自DuPont公司，KONI#151-M、KONI#151-R为型号。

与现有技术相比，本发明具有以下显著优点和有益效果：本发明对现有技术的电镀镍钯金层的方法进行改进，对蚀刻完成的铜合金基材片先进行一个微蚀处理，以增加铜合金基材片的粗糙度从而增加铜合金基材片与镍层的结合牢固程度，再对电镀的镍层进行一个微蚀处理，从而增加了镍层的粗糙度进而增加了镍层与钯层的结合牢固程度，通过以上处理后，电镀完整的片材其基材层与电镀层之间、电镀层本身之间结合牢固、不会在使用中脱落，从而保证了引线框架的整体稳定性和可靠性。另外，针对微蚀过程，本发明经过试验，最终确定采用60～150g/Lt的KONI#151-M（微蚀剂）和1～4ml/Lt的KONI#151-R（稳定剂）、或者使用5～20ml/Lt的硫酸（98%试剂级）溶液进行微蚀，因为使用这三种物质在本发明所给的范围进行微蚀时，粗糙效果恰到好处，既实现了对材料表面进行一定的粗糙处理以增加其结合牢度，又不至于蚀刻过度从而影响电镀层和基材层的正常功能发挥。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明作进一步具体描述，但不局限于此。

本实施例引线框架的电镀方法，包括以下步骤：

（1）对蚀刻完成的铜合金基材片进行除油处理；

（2）对步骤（1）所得的基材片放入粗糙药水中进行微蚀，浸泡时间为20-60秒，粗糙药水为60～150g/Lt的KONI#151-M（微蚀剂）和1～4ml/Lt的KONI#151-R（稳定剂）、或5～20ml/Lt的硫酸（98%试剂级）溶液；

（3）用清水进行清洗，并烘干；

（4）对需要进行电镀的区域进行电镀镍层，镍层厚度为0.5-2.0mm；

（5）放入粗糙药水中进行微蚀，浸泡时间为20-60秒，粗糙药水为60～150g/Lt的KONI#151-M（微蚀剂）和1～4ml/Lt的KONI#151-R（稳定剂）、或5～20ml/Lt的硫酸（98%试剂级）溶液；

（6）用清水进行清洗，并烘干；

（7）在镍层的表面进行电镀钯层，钯层厚度为20-150nm；

（8）在钯层的表面进行电镀金层，金层厚度为3-15nm。