[发明专利]CMOS晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域上形成有第一伪栅结构、位于所述第一伪栅结构两侧侧壁表面的第一侧墙、位于所述第一伪栅结构上的第一硬掩膜层、位于所述第一伪栅结构两侧的半导体衬底内的第一掺杂区，第二区域上形成有第二伪栅结构以及位于所述第二伪栅结构两侧侧壁表面的第二侧墙和位于所述第二伪栅结构两侧的半导体衬底内的第二掺杂区；

在所述第一硬掩膜层和第二伪栅结构上形成第二硬掩膜层，所述第一伪栅结构顶部的第二硬掩膜层的表面高于第二伪栅极顶部的第二硬掩膜层的表面；

在所述半导体衬底表面形成覆盖第二硬掩膜层的填充层，以及位于第二区域上的部分填充层表面的掩膜层；

刻蚀第一区域上的部分厚度的填充层以及位于第一伪栅结构顶部的部分第二硬掩膜层；

去除填充层、掩膜层和第二硬掩膜层，形成覆盖所述第一伪栅结构的第一应力层和覆盖第二伪栅结构的第二应力层。

2.根据权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料为底部抗反射材料或有机硅氧烷材料。

3.根据权利要求2所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述填充层的厚度为

4.根据权利要求2所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶。

5.根据权利要求4所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为

6.根据权利要求4所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述填充层和掩膜层，所述刻蚀溶液为硫酸和H₂O₂的混合溶液。

7.根据权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，所述第一侧墙包括位于第一伪栅结构侧壁表面的内侧墙；所述第二侧墙包括位于所述第二伪栅结构侧壁表面的内侧墙和位于所述内侧墙表面的隔离侧墙。

8.根据权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层的材料为氮化硅、第二硬掩膜层的材料为氮化硅。

9.根据权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，采用反应离子刻蚀工艺刻蚀所述部分厚度的填充层以及位于第一伪栅结构顶部的部分第二硬掩膜层。

10.根据权利要求9所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，还包括刻蚀部分位于第一伪栅结构顶部的部分厚度的第一硬掩膜层。

11.根据权利要求10所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，刻蚀第一伪栅结构顶部的部分第二硬掩膜层之后，所述第一伪栅结构顶部剩余的第一硬掩膜层的厚度为

12.根据权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二掺杂区的形成方法包括：在形成所述第一伪栅结构表面的第一硬掩膜层之后，刻蚀所述第二伪栅结构两侧的部分半导体衬底的第二区域，形成沟槽；在所述沟槽内填充半导体材料，形成第二掺杂区。

13.根据权利要求12所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体材料为SiGe。

14.根据权利要求13所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二掺杂区内掺杂有P型离子。

15.根据权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层暴露出所述第一掺杂区和第二掺杂区的表面。

16.根据权利要求15所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：以所述第二硬掩膜层为掩膜，在所述第一掺杂区表面形成第一金属硅化物层，在所述第二掺杂区表面形成第二金属硅化物层。

17.根据权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底、第一应力层、第二应力层表面形成介质材料层，以所述第一伪栅极顶部表面和第二伪栅极顶部表面作为停止层，对所述介质材料层进行平坦化，形成表面与第一伪栅结构、第二伪栅结构的顶部表面齐平的介质层。