[发明专利]一种消除硅片粘接面线痕的方法在审
| 申请号： | 201310457564.3 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103552162A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 马明涛;邵斌;王振国;郭立洲 | 申请（专利权）人： | 洛阳鸿泰半导体有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/00 |
| 代理公司： | 洛阳市凯旋专利事务所 41112 | 代理人： | 陆君 |
| 地址： | 471000 河南省洛阳市高新*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 硅片 粘接面线痕 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种消除硅片粘接面线痕的方法，包括粘接垫板（1）、硅棒（4）、胶层（2）和刮胶工具（3），其特征是：所述消除硅片粘接面线痕的方法的操作步骤如下：
第一步，取10%的微粉，去除杂质后进行烘干（95℃/2小时）去除其中水分，再用800目的滤网过滤掉微粉中的大颗粒后备用；
进一步，分别取40%的A胶和40%的B胶，然后放入调胶杯中快速搅拌均匀，搅拌均匀后再加入烘干后的微粉再进行搅拌，搅拌均匀后将硅棒（4）粘贴在粘接垫板（1）上，粘好后等胶固化7—10分钟后形成胶层（2），再利用刮胶工具（3）沿着粘接垫板（1）的侧面铲掉多余的胶即可。
2.根据权利要求1所述的一种消除硅片粘接面线痕的方法，其特征是：所述微粉的硬度为9-9.5（莫氏），微粉粒径为0.005-0.015mm。
3.根据权利要求1所述的一种消除硅片粘接面线痕的方法，其特征是：所述A胶和B胶的粘度为40000-55000cps/25℃, A胶和B胶的固化强度≥13Mpa。
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