[发明专利]一种消除硅片粘接面线痕的方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及多晶硅切割技术领域，尤其是涉及一种消除硅片粘接面线痕的方法。

【背景技术】

公知的，多线切割机切割半导体硅片的原理，就是通过多道高速运行的镀铜钢线携带砂浆对硅棒进行磨削进而成片的过程，现有的粘接工艺只是简单的用胶水把硅棒和粘接垫板粘在一起，但是因为胶水固化后的硬度和硅棒的硬度相差很远而且有一定的弹性，在刮胶的时候需要利用刮胶工具将硅棒和粘接垫板处的余胶掏刮干净，当切割至硅棒和粘接垫板接触的位置时，由于切割条件的突然变化，胶层对钢线携带的砂浆起到了阻挡和过滤的作用，这样就影响切割过程中的磨削力，体现在硅片表面就是比较严重的线痕，该线痕严重影响了后续的使用和加工。

【发明内容】

为了克服背景技术中的不足，本发明公开了一种消除硅片粘接面线痕的方法，本发明通过改变胶层的硬度，使钢线切割到胶层时的切割条件变化最小，以此来达到消除硅棒表面切割线痕的目的。

为了实现所述发明目的，本发明采用如下技术方案：

一种消除硅片粘接面线痕的方法，包括粘接垫板、硅棒、胶层和刮胶工具，其操作步骤如下：

第一步，取10%的微粉，去除杂质后进行烘干（95℃/2小时）去除其中水分，再用800目的滤网过滤掉微粉中的大颗粒后备用；

进一步，分别取40%的A胶和40%的B胶，然后放入调胶杯中快速搅拌均匀，搅拌均匀后再加入烘干后的微粉再进行搅拌，搅拌均匀后将硅棒粘贴在粘接垫板上，粘好后等胶固化7—10分钟后形成胶层，再利用刮胶工具沿着粘接垫板的侧面铲掉多余的胶即可。

所述微粉的硬度为9-9.5（莫氏），微粉粒径为0.005-0.015mm。

所述A胶和B胶的粘度为40000-55000cps/25℃, A胶和B胶的固化强度≥13Mpa。

由于采用了上述技术方案，本发明具有如下有益效果：

本发明所述的一种消除硅片粘接面线痕的方法，包括粘接垫板、硅棒、胶层和刮胶工具，通过改变胶层的硬度，使钢线切割到胶层时的切割条件变化最小，以此来达到消除硅棒表面切割线痕的目的；本发明实用性强，操作起来比较方便，有效解决了钢线切割硅棒时容易留下线痕的问题，极大方便了后续的加工和使用，满足了客户的要求。

【附图说明】

图1是本发明的加工截面结构示意图；

图中：1、粘接垫板；2、胶层；3、刮胶工具；4、硅棒。

【具体实施方式】

通过下面的实施例可以详细的解释本发明，公开本发明的目的旨在保护本发明范围内的一切技术改进。

结合附图1所述的一种消除硅片粘接面线痕的方法，包括粘接垫板1、硅棒4、胶层2和刮胶工具3，其操作步骤如下：

第一步，取10%的微粉，去除杂质后进行烘干（95℃/2小时）去除其中水分，再用800目的滤网过滤掉微粉中的大颗粒后备用；

进一步，分别取40%的A胶和40%的B胶，然后放入调胶杯中快速搅拌均匀，搅拌均匀后再加入烘干后的微粉再进行搅拌，搅拌均匀后将硅棒4粘贴在粘接垫板1上，粘好后等胶固化7—10分钟后形成胶层2，再利用刮胶工具3沿着粘接垫板1的侧面铲掉多余的胶即可；所述微粉的硬度为9-9.5（莫氏），微粉粒径为0.005-0.015mm；所述A胶和B胶的粘度为40000-55000cps/25℃, A胶和B胶的固化强度≥13Mpa。

本发明未详述部分为现有技术。