[发明专利]一种高良姜素分子印迹聚合物及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201310459569.X | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103524677A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 孙体健;吕慧卿;刘文;乔华;姚杰;杨岚 | 申请（专利权）人： | 山西医科大学 |
| 主分类号： | C08F222/14 | 分类号： | C08F222/14;C08F220/56;C08J9/26;B01J20/26;C07D311/30;C07D311/40 |
| 代理公司： | 山西五维专利事务所(有限公司) 14105 | 代理人： | 郭海燕 |
| 地址： | 030001 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高良姜素 分子 印迹 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种高良姜素分子印迹聚合物，其特征是由以下步骤制备得到：
（1）、先将模板分子高良姜素与功能单体丙烯酰胺按1：3～6的摩尔比溶解于致孔剂中充分混匀；再按模板分子、交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯与引发剂偶氮二异丁腈的摩尔比为1：20：0.2～0.25的比例加入交联剂和引发剂，混匀，通N2脱氧10～15min，密封，于55～65℃水浴聚合20～28h，得聚合物；
（2）、将步骤（1）中所得聚合物研磨成粉末并过筛，依次用体积比为10%乙酸的甲醇溶液、甲醇洗提，去除模板分子高良姜素及残留的乙酸，真空干燥至恒重，得到高良姜素分子印迹聚合物。
2.根据权利要求1所述的一种高良姜素分子印迹聚合物，其特征是所述的致孔剂为丙酮、四氢呋喃或乙腈。
3.根据权利要求1所述的一种高良姜素分子印迹聚合物，其特征是步骤（1）中的混匀均为在超声条件下进行。
4.根据权利要求1所述的一种高良姜素分子印迹聚合物，其特征是步骤（2）中得到的高良姜素分子印迹聚合物微粒的粒径38μm～75μm。
5.权利要求1所述的高良姜素分子印迹聚合物的制备方法，其特征是包括以下步骤：
（1）、先将模板分子高良姜素与功能单体丙烯酰胺按1：3～6的摩尔比溶解于致孔剂中充分混匀；再按模板分子、交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯与引发剂偶氮二异丁腈的摩尔比为1：20：0.2～0.25的比例加入交联剂和引发剂，混匀，通N2脱氧10～15min，密封，于55～65℃水浴聚合20～28h，得聚合物；
（2）、将步骤（1）中所得聚合物研磨成粉末并过筛，依次用体积比为10%乙酸的甲醇溶液、甲醇洗提，去除模板分子高良姜素及残留的乙酸，真空干燥至恒重，得到高良姜素分子印迹聚合物。
6.根据权利要求5所述的一种高良姜素分子印迹聚合物的制备方法，其特征是所述的致孔剂为丙酮、四氢呋喃或乙腈。
7.根据权利要求5所述的一种高良姜素分子印迹聚合物的制备方法，其特征是步骤（1）中的混匀均为在超声条件下进行。
8.权利要求1所述的高良姜素分子印迹聚合物的应用，其特征是在富集或分离高良姜素化合物中的应用。
9.根据权利要求8所述的高良姜素分子印迹聚合物的应用，其特征是所述的高良姜素分子印迹聚合物作为固相或液相萃取柱的填料。
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