[发明专利]LDMOS晶体管结构及其形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成深沟槽；

在所述深沟槽的侧壁上形成内衬层；

在深沟槽中填充半导体层；

对所述衬底进行掺杂形成漂移区，使所述漂移区的深度大于所述深沟槽的深度，以使所述内衬层和半导体层均位于所述漂移区的内部；

在所述漂移区两侧的衬底中分别形成第一阱区、第二阱区，所述第一阱区、第二阱区与所述漂移区相接；

在所述漂移区和所述第一阱区上形成第一栅极结构，在所述漂移区和所述第二阱区上形成第二栅极结构，所述第一栅极结构和第二栅极结构能露出所述半导体层；

在第一栅极结构和第二栅极结构露出的半导体层中形成共漏极；

在第一栅极结构露出的第一阱区中形成第一源极，在第二栅极结构露出的第二阱区中形成第二源极。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述深沟槽的过程包括:

在所述衬底上形成硬掩模层；

在所述硬掩模层上形成图形化的第一光刻胶层，以所述图形化的第一光刻胶层为掩模，对所述硬掩模层进行刻蚀，形成图形化的硬掩模层；

再以所述图形化的硬掩模层为掩模，对所述衬底进行刻蚀，形成所述深沟槽。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述深沟槽侧壁形成内

衬层的过程包括：

用热氧化法在所述深沟槽的底部、侧壁及衬底表面形成一层内衬层；

去除所述衬底表面以及所述深沟槽底部的内衬层，使深沟槽底部暴露出所述衬底。

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，去除所述衬底表面以及所述深沟槽底部的内衬层的过程包括：采用干法刻蚀对所述内衬层进行刻蚀。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在深沟槽中填充所述半导体层的过程包括：

在所述深沟槽底部露出的所述衬底表面进行外延生长，直至生长形成的半导体层能填充满所述深沟槽。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述漂移区的过程包括：

在所述衬底上形成图形化的第二光刻胶层；

以所述图形化的第二光刻胶层为掩模对所述衬底及所述半导体层进行离子注入，以形成漂移区。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一阱区、第二阱区的过程包括：

在所述衬底上形成图形化的第三光刻胶层；

以所述图形化的第三光刻胶层为掩模进行离子注入以形成第一阱区，第二阱区。

8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构至少部分覆盖靠近所述第一阱区的内衬层。

9.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二栅极结构至少部分覆盖靠近所述第二阱区的内衬层。

10.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成深沟槽的过程包括：使深沟槽的深度在1微米到6微米的范围内。

11.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成内衬层的过程包括：使所述内衬层沿平行于所述衬底表面方向的厚度为10纳米到10微米。

12.一种LDMOS晶体管结构，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底内的漂移区；

位于所述漂移区内的深沟槽，所述深沟槽的深度小于所述漂移区的深度；

位于所述深沟槽侧壁上的内衬层；

填充于所述深沟槽中的半导体层；

形成于所述半导体层中的共漏极；

分别位于所述漂移区的两侧，与漂移区紧密相邻的第一阱区和第二阱区；

位于所述第一阱区内的第一源极；

位于所述第二阱区内的有第二源极；

位于所述共漏极和所述第一源极之间衬底上的第一栅极结构；

位于所述共漏极和所述第二源极之间衬底上的第二栅极结构。

13.根据权利要求12所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于，所述内衬层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅其中的一种或几种。

14.根据权利要求12所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于，所述内衬层为单层结构或多层堆叠结构。