[发明专利]具微细导电柱的半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

基板；

导电图案形成于该基板上；和

具一预定高度的至少一导电柱形成于该导电图案上，其中该导电柱的一径宽不超过10μm，且该导电柱倾斜于该导电图案。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该导电柱以具有一聚焦离子束或一电子束的环境制作而成。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该导电柱倾斜于该基板。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该导电柱的一端沉积于该导电图案的一第一位置，该导电柱的另一端连接一接垫。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该接垫的一高度高于该导电图案，该导电柱的该另一端实质上连接该接垫的一顶表面。

6.如权利要求3所述的半导体元件，其中该导电柱的一端沉积于该导电图案的一第一位置，该导电柱的另一端连接一第二位置，其中该第一位置和该第二位置在不同水平面。

7.如权利要求3所述的半导体元件，其中该导电柱的一端沉积于该导电图案的一第一位置，该导电柱的另一端与另一导电柱连接。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该另一导电柱沉积于该导电图案的一第二位置，且该第二位置和该第一位置相隔一间距。

9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该导电柱和该另一导电柱斜向上方延伸，且其一连接点与该导电图案相隔一距离。

10.如权利要求7所述的半导体元件，其中该导电柱倾斜于该基板一第一角度θ1，该另一导电柱倾斜于该基板一第二角度θ2。

11.如权利要求1所述的半导体元件，包括多个该导电柱，且该些导电柱相隔距离设置。

12.如权利要求11所述的半导体元件，包括多个该导电柱，有次序地设置在该导电图案的一周边区域。

13.如权利要求11所述的半导体元件，包括多个该导电柱，有次序地设置在该导电图案的一中央区域。

14.如权利要求11所述的半导体元件，其中该导电图案包括多条走线，多个该导电柱分别形成于多条该走线上。

15.如权利要求11所述的半导体元件，为一倒装元件。

16.如权利要求11所述的半导体元件，其中该导电柱以具有一聚焦离子束或一电子束的环境制作而成。

17.一种半导体元件的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一导电图案于该基板上；和

在具有一聚焦离子束或一电子束的环境下形成具一预定高度的至少一导电柱于该导电图案上，其中该导电柱的一径宽不超过10μm。

18.如权利要求17所述的制造方法，其中该聚焦离子束或该电子束的一能量供应方向倾斜于该导电图案一角度。

19.如权利要求17所述的制造方法，其中该聚焦离子束或该电子束的一能量供应方向垂直于该导电图案。