[发明专利]具微细导电柱的半导体元件及其制造方法

说明书

本发明公开一种具微细导电柱的半导体元件及其制造方法。半导体元件包括：一基板，一导电图案形成于基板上，和至少具一预定高度的一导电柱形成于导电图案上。其中，导电柱可在具有一聚焦离子束(FIB)或一电子束的系统中形成。一实施例中，导电柱的径宽不超过10μm。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别是涉及具有至少一微细的导电柱的半导体元件及其制造方法。

背景技术

近年来应用于电子产品的半导体元件其尺寸持续缩小。对半导体业界来说，持续缩小半导体结构的尺寸、改善集成电路的速率、效能、密度及降低成本等，都是半导体元件重要的发展目标。在元件尺寸缩小的情况下，元件的电子特性仍必须维持甚至更加地进步，以符合商业产品的需要和市场期待。若元件的层体和/或组件有所损坏，将会对元件的电性造成影响。为符合高分辨率需求，相关业者无不希望能在不损伤元件的层体和/或组件，而且也能与缩小的元件尺寸相容的情况下，发展出一种更有效率的电连接方式(如在电路编辑上的应用)和/或相关的特征结构(如在产品结构上的应用)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体元件及其制造方法。实施例的半导体元件具有一或多个微细的导电柱。实施例可提供一更有效率和更精确方式以建立电连接。

为达上述目的，本发明提出一种半导体元件，其包括一基板、一导电图案形成于基板上、和具一预定高度的至少一导电柱形成于导电图案上，其中导电柱的一径宽不超过10μm。

根据实施例，提出一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基板；形成一导电图案于基板上；和在具有一聚焦离子束(FIB)或一电子束的环境下形成具一预定高度的至少一导电柱于导电图案上，其中导电柱的一径宽不超过10μm。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配 合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1为本发明一实施例的具有一导电柱的一半导体元件的部分侧视图；

图2A绘示本发明一实施例的一能量源和一放置基板的平台的一种设置方式的示意图；

图2B绘示本发明一实施例的一能量源和一放置基板的平台的另一种设置方式的示意图；

图3为本发明一应用例中，具有相互连接的两个实施例的导电柱的另一半导体元件的部分侧视图；

图4为本发明一实施例的具有微导电柱的倒装元件的部分示意图；

图5为应用本发明一实施例于一倒装元件的接合垫设计的示意图。

符号说明

10、30：基板

12、32：导电图案

121：节点

321：第一节点/导线

322：第二节点/导线

14、34：介电层

16、46：导电柱

161：导电柱的一端

162：导电柱的另一端

361：第一导电柱

362：第二导电柱

17：接垫

171：接垫的顶表面

172：连接部

173：平坦部

20：平台

21：能量源