[发明专利]用于集成电路及类似物的侧堆叠互连

权利要求书

1.一种用于形成集成电路结构的方法，包括：

在堆叠中组装多个集成电路，所述集成电路具有延伸至所述堆叠的第一侧的导电通路；

在所述堆叠的所述第一侧上形成绝缘层；以及

在所述绝缘层中形成耦合至所述集成电路的所述导电通路的导电路径。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在形成所述绝缘层之前平坦化所述堆叠的所述第一侧，以便暴露延伸至所述第一侧的所述导电通路。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述绝缘层中形成从所述绝缘层的外侧表面延伸至所述导电通路的孔；以及

在所述孔中形成连接至所述导电通路的导电过孔。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述绝缘层中形成导电路径的步骤包括：

形成穿过所述绝缘层延伸并且连接至所述导电通路的导电过孔；

在所述绝缘层的表面上形成连接至所述导电过孔的导电层；以及

在所述绝缘层的所述表面上的所述导电层中形成路径。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述绝缘层中形成导电路径的步骤包括：

在所述绝缘层中形成从所述绝缘层的外侧表面延伸至所述导电通路的孔；

在所述孔中形成连接至所述导电通路的导电过孔；

在所述绝缘层的表面上形成连接至所述导电过孔的导电层；以及

在所述绝缘层的所述表面上的所述导电层中形成路径。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括粘合所述集成电路以形成所述堆叠的步骤。

7.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在堆叠中组装多个集成电路，每个所述集成电路包括半导体衬底、以及由在所述衬底上形成的至少第一绝缘区域所分开的多个第一导电通路；

在所述堆叠的第一侧上形成第二绝缘区域；以及

在所述第二绝缘区域中形成耦合至所述第一导电通路的第二导电通路。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括，在形成所述第二绝缘区域之前平坦化所述堆叠的所述第一侧，以便暴露所述第一导电通路。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述第二绝缘区域中形成从所述第二绝缘区域的外侧表面延伸至所述第一导电通路的孔；以及

在所述孔中形成连接至所述第一导电通路的导电过孔。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第二绝缘区域中形成第二导电通路的步骤包括：

形成穿过所述第二绝缘区域延伸并且连接至所述第一导电通路的导电过孔；

在所述第二绝缘区域的表面上形成连接至所述导电过孔的导电层；以及

在所述第二绝缘区域的所述表面上的所述导电层中限定路径。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述绝缘层中形成第二导电通路的步骤包括：

在所述第二绝缘区域中形成从所述第二绝缘区域的外侧表面延伸至所述第一导电通路的孔；

在所述孔中形成连接至所述第一导电通路的导电过孔；

在所述第二绝缘区域的表面上形成连接至所述导电过孔的导电层；以及

在所述第二绝缘区域的所述表面上的所述导电层中形成路径。

12.根据权利要求7所述的方法，进一步包括粘合所述集成电路以形成所述堆叠的步骤。

13.根据权利要求7所述的方法，进一步包括步骤：

在所述第二绝缘区域上形成第三绝缘区域；以及

在所述第三绝缘区域中形成耦合至所述第二导电通路的第三导电通路。

14.一种半导体器件，包括：

多个集成电路，堆叠在彼此之上以形成堆叠；

每个所述集成电路包括半导体衬底、以及由在所述衬底上形成的至少第一绝缘区域分开的多个第一导电通路；

第二绝缘区域，在所述堆叠的第一侧上，以及

多个第二导电通路，在所述第二绝缘区域中形成并且耦合至所述多个第一导电通路。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，进一步包括在所述集成电路之间的粘合层。