[发明专利]托盘原点定位系统及托盘原点定位方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体设备制造领域，具体涉及一种托盘原点定位

系统及托盘原点定位方法。

背景技术

金属有机化学气相沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，以下简称MOCVD）是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相生长技术。具体地，MOCVD技术的基本原理是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长原材料，以热分解反应方式在被加工工件上进行气相外延，从而在被加工工件的表面生成各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜。在工艺完成之后，通常采用自动控制的机械手对被加工工件进行装卸载工序，在进行装卸载工序之前需要对托盘进行定位，以保证托盘和机械手之间的相对位置准确，从而保证装卸载的准确性。

目前存在一种托盘原点定位系统，如图1所示，在托盘10上表面上设置有缺口11，预设托盘的原点位置为托盘10的上表面上与缺口11所在位置存在对应关系的位置处，该托盘原点定位系统包括控制单元、驱动单元和检测单元，其中，驱动单元用于驱动托盘旋转；检测单元包括激光位移传感器12，其设置在缺口11位置处的上方，用于在托盘10旋转的过程中向托盘10发送检测信号，并接受由托盘10上表面反射的信号，且将其发送至控制单元；控制单元根据该反射信号判断检测的托盘10的当前位置是否为缺口11所在位置，若是，根据原点位置与该缺口11所在位置的对应关系确定原点位置，并控制驱动单元驱动托盘10旋转至原点位置，从而实现准确地定位托盘原点位置。

然而，虽然采用上述托盘原点定位系统可以实现准确地定位托盘原点位置，但是，其不可避免地存在以下问题：如图2所示，当缺口11位于激光位移传感器12在托盘10相对应位置处顺时针方向，且托盘10顺时针旋转时，则托盘10需要旋转较大角度（360度-A度）才能检测到缺口11所在位置，并且，在整个托盘原点定位的过程中托盘10的转速很低，这就需要浪费很长时间定位托盘原点位置，造成托盘原定定位的速度太慢，从而导致工作效率低。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种托盘原点定位系统及托盘原点定位方法，其可以提高托盘原点定位的速率，从而可以提高工作效率，进而可以提高经济效益。

本发明提供一种托盘原点定位系统，包括托盘、检测单元、控制单元和驱动单元，其中所述托盘为圆形结构，且在所述托盘的上表面上沿其周向设置至少两个与所述托盘上表面的反射率不同的反射部；所述托盘的原点位置与所述反射部在所述托盘上的位置具有对应关系；所述驱动单元用于驱动所述托盘旋转；所述检测单元设置在所述托盘上方的各个所述反射部经过的预设检测点处，用以在所述托盘旋转时朝向所述托盘发射检测信号，并接收由所述托盘上表面在旋转至与该预设检测点对应的位置时反射的反射信号，且将其发送至所述控制单元；所述预设检测点在所述托盘的上表面的对应位置与所述至少两个反射部在所述托盘上表面的位置具有预设位置关系，且所述至少两个反射部中至少沿所述托盘的旋转方向和其反向的第一个旋转到达所述预设检测点对应位置处的反射部沿托盘周向上的尺寸不同和/或反射率不同；所述控制单元用于根据由所述托盘上表面反射的反射信号确定第一个到达与所述预设检测点对应位置处的所述反射部，并根据所述预设检测点与该反射部在托盘上表面上具有的预设位置关系确定所述托盘的旋转方向，再根据该反射部在所述托盘上的位置与所述原点位置之间的对应关系，判断所述原点位置是否位于所述托盘旋转方向的正方向，若是，控制所述驱动单元驱动所述托盘继续旋转至原点位置；若否，控制所述驱动单元驱动所述托盘反向旋转至原点位置。

其中，所述至少两个反射部中至少沿所述托盘的旋转方向和其反向的第一个旋转到达所述预设检测点对应位置处的反射部的反射率不同具体设置为：每个所述反射部与所述托盘上表面之间存在高度差，且高度差不同。

其中，每个所述反射部为其在所述托盘的上表面上的位置处设置的凹槽或者凸台。

其中，所述至少两个反射部中至少沿所述托盘的旋转方向和其反向的第一个旋转到达所述预设检测点对应位置处的反射部沿托盘周向上的尺寸不同，且所述反射部为其在所述托盘的上表面上的位置处设置的缺口。

其中，所述检测单元包括距离传感器。

优选地，所述至少两个反射部在所述托盘上表面上的位置相邻近，并且所述至少两个反射部中的其中一个反射部在所述托盘上表面上的位置预设为所述原点位置。