[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括

衬底，具有基部层、形成于所述基部层之上的缓冲层以及形成于所述缓冲层之上的化合物半导体层，

晶体管，具有形成于所述化合物半导体层中的沟道，并且具有漏极、栅极电极和源极，所述漏极、所述栅极电极和所述源极相对于彼此沿第一方向布置，以及

掩埋电极，延伸穿过所述化合物半导体层的厚度，使得所述掩埋电极的端部突出到所述缓冲层中，所述掩埋电极的至少一部分在所述第一方向上布置在所述栅极电极的与所述源极相对的侧上，以及

连接构件，电连接所述掩埋电极和所述源极，

其中肖特基结形成在接触所述化合物半导体层的所述掩埋电极的横向侧壁处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

从所述掩埋电极到所述漏极的距离在所述第一方向上比从所述漏极到所述栅极电极的距离更短。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述漏极在所述第一方向上被定位于所述掩埋电极和所述栅极电极之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

第一晶体管和第二晶体管并排并且在第一方向上在相反方向上布置，并且

所述掩埋电极被定位于所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述掩埋电极在所述第一方向上被定位于所述漏极和所述栅极电极之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述栅极电极在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且被划分成多个部分，并且具有

栅极互连，形成于在所述栅极电极以上的层中，以及

多个接触，用于将所述栅极互连连接到所划分的栅极电极中的每个栅极电极，其中

所述掩埋电极在所述第二方向上被定位于所划分的栅极电极之间并且在所述第一方向上与所述栅极电极在一部分处重叠。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述化合物半导体层包括Ga和N，

所述缓冲层具有重复堆叠AlN层和GaN层的结构，并且

所述掩埋电极的顶端至少侵入到在最顶层处的所述AlN层中。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述掩埋电极由用杂质掺杂的半导体形成。