[发明专利]形成薄膜电阻器的方法

权利要求书

1.一种利用射频溅射系统形成薄膜电阻器的方法，所述方法包括：

建立用于溅射的沉积参数，所述沉积参数至少包括射频衬底偏压；

在向第一衬底施加具有建立的第一射频偏压电平的射频衬底偏压的同时，使用靶来溅射材料以在第一衬底上形成第一薄膜电阻器，所述溅射是非反应性射频溅射，所述第一薄膜电阻器具有第一电阻温度系数(TCR)；

在溅射所述材料以形成所述第一薄膜电阻器后，调整所述射频衬底偏压以用于下次溅射，其中将所述射频衬底偏压调整为具有与所述第一射频偏压电平不同的第二射频偏压电平，以相对于第一薄膜电阻器的电阻温度系数调节第二薄膜电阻器的电阻温度系数；和

在所述调整之后，在施加调整后的射频衬底偏压的同时，使用同一靶来非反应性地射频溅射基本上相同的材料来形成第二薄膜电阻器，所述第二薄膜电阻器相对于所述第一薄膜电阻器的第一电阻温度系数具有第二电阻温度系数；

其中所述材料包括Cr合金或Ni合金中的至少一个，

其中所述第一电阻温度系数和所述第二电阻温度系数均在从25ppm/℃到500ppm/℃的范围中。

2.一种利用射频溅射系统形成薄膜电阻器的方法，所述方法包括：

初始建立步骤，用于建立用于溅射的沉积参数，所述沉积参数至少包括射频衬底偏压；

第一溅射步骤，用于在向第一衬底施加具有建立的第一射频偏压电平的射频衬底偏压的同时，使用靶来溅射材料以在第一衬底上形成第一薄膜电阻器，所述溅射是非反应性射频溅射，所述第一薄膜电阻器具有第一电阻温度系数(TCR)；

调整步骤，用于在溅射所述材料以形成所述第一薄膜电阻器后，调整所述射频衬底偏压以用于下次溅射，其中将所述射频衬底偏压调整为具有与所述第一射频偏压电平不同的第二射频偏压电平，并调整衬底温度至处于500℃与1000℃之间的温度，以相对于第一薄膜电阻器的电阻温度系数调节第二薄膜电阻器的电阻温度系数；

第二溅射步骤，用于在所述调整之后，在施加调整后的射频衬底偏压和调整后的衬底温度的同时，使用同一靶来非反应性地射频溅射基本上相同的材料来形成第二薄膜电阻器，所述第二薄膜电阻器相对于所述第一薄膜电阻器的第一电阻温度系数具有第二电阻温度系数；

其中所述材料包括Cr合金或Ni合金中的至少一个，

其中所述第一电阻温度系数和所述第二电阻温度系数均在从25ppm/℃到500ppm/℃的范围中。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二薄膜电阻器形成在与所述第一衬底不同的第二衬底上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述材料包括陶瓷组分和金属组分。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一薄膜电阻器和所述第二薄膜电阻器具有基本上相同的电阻。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中通过溅射形成的所述第一薄膜电阻器和所述第二薄膜电阻器的厚度在从到的范围中。

7.一种利用射频溅射系统形成薄膜电阻器的方法，所述方法包括：

选择薄膜电阻器的属性的值，其中所述属性为在从25ppm/℃到500ppm/℃的范围中的电阻温度系数；

根据与所选择的属性值相关联的沉积参数和所述属性之间关系，获得沉积参数的第一值，其中所述沉积参数至少包括射频衬底偏压；

将沉积参数设置为所述第一值；

使用靶来在第一衬底上射频溅射材料以在所述第一衬底上形成第一薄膜电阻器，其中在射频溅射期间将具有第一值的射频衬底偏压施加到第一衬底，所述射频溅射是非反应性溅射；

调整射频衬底偏压以相对于所述第一薄膜电阻器的相同属性的第一值的将第二薄膜电阻器的相同属性调节为第二值，第二值与第一值不同；和

通过其中调整了的具有第二值的射频衬底偏压被施加到第二衬底的非反应性射频溅射，使用同一靶来在第二衬底上形成所述第二薄膜电阻器，

其中所述材料包括Cr合金或Ni合金中的至少一个。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述材料包括陶瓷组分和金属组分。