[发明专利]形成薄膜电阻器的方法

说明书

本发明公开了形成薄膜的方法。一种这样的方法可包括溅射靶材来形成第一薄膜电阻器和调整沉积参数以调节随后形成的第二薄膜电阻器的属性。例如，衬底偏压和/或衬底温度可被调整来调节所述第二薄膜电阻器的属性。所述第二薄膜电阻器的电阻温度系数（TCR）和/或另一属性可通过调整所述沉积参数而进行调节。溅射到所述衬底上的所述靶材可包括例如Cr合金、Ni合金、SiCr、NiCr等等。可在所述衬底偏压和/或衬底温度与所述薄膜电阻器属性之间建立关系，并且所述关系可用来选择所要属性值的沉积条件。

技术领域

本公开技术涉及在衬底上沉积材料，并且更特定地说，涉及在衬底上形成薄膜电阻器。

背景技术

靶材可通过溅射（物理气相沉积（PVD）的形式）沉积在衬底上以在衬底上形成薄膜。在溅射沉积中，薄膜的成分和/或属性通常通过使用不同的靶材进行调整。

反应性溅射是一种调节被溅射在衬底上的材料的方法。在反应性溅射中对调节溅射材料的主要控制是控制反应性气体添加剂（诸如用于N结合的N₂）的比例。

需要改进对由溅射形成的薄膜（诸如薄膜电阻器）的属性的控制。而且，需要以具成本效益的方式形成具有所要属性的薄膜。

发明内容

本公开内容的一个方面是一种形成薄膜电阻器的方法。溅射材料来形成第一薄膜电阻器。这种溅射是非反应性溅射。在溅射材料以形成第一薄膜电阻器之后，调整沉积参数。接着通过溅射基本上相同的材料来形成第二薄膜电阻器，用调整的沉积参数来调节第二薄膜电阻器相对于第一薄膜电阻器的电阻温度系数（TCR）的TCR。

本公开内容的另一方面是一种形成薄膜电阻器的方法。将材料溅射在第一衬底上以在第一衬底上形成第一薄膜电阻器。衬底偏压被调整来调节第二薄膜电阻器相对于第一薄膜电阻器的相同属性的属性。第二薄膜电阻器通过溅射以调整的衬底偏压形成在第二衬底上。

本公开内容的另一方面是一种在衬底上形成薄膜的方法。所述方法包括将衬底加热到在从约500℃到1000℃的范围中选择的温度，和在所述温度下将材料溅射在衬底上以在衬底上形成薄膜。在这种方法中，在所述温度下溅射在衬底上的材料包括SiCr和/或NiCr。

本公开内容的又一方面是一种形成薄膜电阻器的方法。选择薄膜电阻器的属性的值。基于沉积参数和属性之间的关系获得与选定的属性值相关的沉积参数值。沉积参数包括衬底偏压或衬底温度中的至少一个。沉积参数被设定为沉积参数的获得值。当沉积参数处于获得值时，导致靶材被溅射在衬底上以形成具有属性的选定值的薄膜电阻器。

出于概述本公开内容的目的，已经在本文中描述了本发明的特定方面、优点和新颖特征。应了解不一定全部这类优点可根据本发明的任何特定实施方案而实现。因此，本发明可以如本文所教导达成或最优化一个优点或一组优点的方式具体实施或实行，而不一定达成如本文可能教导或建议的其它优点。

附图说明

图1是用于在衬底上形成薄膜的示例性沉积装置的示意图。

图2是根据实施方案的形成薄膜电阻器的方法的流程图。

图3A是薄膜电阻器的示意等角图。

图3B是薄膜电阻器的横截面。

具体实施方式

溅射系统（诸如RF溅射系统）可能难以建立和维护。调整任何沉积参数可能影响沉积形成的薄膜的其它沉积参数和/或属性。溅射设备因此通常经过构造使得特定沉积参数已经固定。举一个实例，溅射设备可具有在不修改沉积装置的情况下不可调整的固定衬底偏压。在其它实例中，溅射设备可在窄范围内具有可调整偏压，但是在初始设备建立后对于沉积而言偏压是固定的。