[发明专利]封装结构有效
申请号: | 201310464626.3 | 申请日: | 2013-10-08 |
公开(公告)号: | CN103715168B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 金兴圭 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/367;H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 金光军,刘奕晴 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 用于 制造 方法 | ||
本申请要求2012年10月08日提交的韩国专利申请序列No.10-2012-0111198的题为“Package Structure And Method For Manufacturing Package Structure(封装结构和用于制造封装结构方法)”的权益,其整体公开内容通过引用结合于本申请中。
技术领域
本发明涉及封装结构和用于制造该封装结构的方法,并且更加特别地,涉及具有改进制造效率的封装结构和用于制造该封装结构的方法。
背景技术
随着高密度和高性能的半导体封装的发展,已经开发了各种封装技术。作为半导体封装技术,存在使用非导电性浆料(NCP)将裸片(die,晶粒,晶片)粘结(bond,结合)至电路板的封装技术。更详细地,在制备好裸片(该裸片具有布置在其一个表面上的铜(Cu)柱)以及电路板(该电路板具有布置在其一个表面上的金属凸点)并且在裸片和电路板之间放入非导电性浆料之后,在将铜柱和金属凸点彼此对准地连接同时,通过将裸片粘结至电路板来制造半导体封装。
然而,在使用非导电性浆料的封装技术的情况下,会出现一种现象:在封装的时候,非导电性浆料没有完全地填充在电路板和凸点之间。在这种情况下,在非导电性浆料内出现空隙,这是半导体封装的电路图案之间出现短路的一个原因。此外,当裸片的金属柱之间的间距窄时,很难匹配金属柱与金属凸点,这导致了封装缺陷。
【相关技术文献】
【专利文件】
(专利文献1)韩国专利特开公布第10-2011-0070924号
发明内容
本发明的一个目的是提供具有改进制造效率的封装结构和用于制造该封装结构的方法。
本发明的另一目的是为了提供能够解决在使用非导电性浆料时发生的问题的封装结构和用于制造该封装结构的方法。
根据本发明的一个示例性实施方式,提供了一种封装结构,包括:金属板;裸片,该裸片粘结至金属板以允许金属柱面向外侧;绝缘膜,该绝缘膜覆盖金属板和裸片以暴露金属柱;以及金属图案(metal pattern,金属图样,金属模),该金属图案在绝缘膜上电连接至金属柱。
电路结构可以通过在绝缘膜上执行镀覆过程(plating process,电镀工艺)而形成。
绝缘膜可以通过将绝缘膜直接层压在金属板和裸片上而形成。
根据本发明的另一示例性实施方式,提供了一种用于制造封装结构的方法:制备裸片,该裸片具有布置在其一个表面上的金属柱;将裸片粘结在金属板上以允许金属柱面向外侧;形成覆盖金属板和裸片的绝缘膜;抛光绝缘膜以暴露金属柱;以及通过在绝缘膜上形成电连接至金属柱的电路结构来制造第一封装结构。
电路结构的形成包括:形成覆盖绝缘膜的金属籽层(metal seed layer,金属种子层);在金属籽层上形成抗镀覆图案;通过使用抗镀覆图案作为抗镀覆膜,在金属籽层上形成镀覆膜;以及去除抗镀覆图案。
用于制造封装结构的方法可以进一步包括:通过去除金属板的一部分以暴露裸片来形成金属图案;制备第二封装结构,在第二封装结构中形成有外连接端子;以及将第二封装结构层压在第一封装结构上,同时将外连接端子粘结至金属图案。
裸片的制备可以包括制备具有内过孔(inner via)的半导体集成电路芯片,并且用于制造封装结构的方法可以进一步包括:去除金属板以暴露裸片;以及将附加的裸片层压在暴露的裸片上。
绝缘膜的形成可以包括将绝缘膜直接层压在金属板和裸片上。
附图说明
图1是示出根据本发明的示例性实施方式的用于制造封装结构的过程的流程图。
图2至图5是描述根据本发明的示例性实施方式的制造封装结构的过程的视图。
图6是示出根据本发明的修改实施例的封装结构的流程图。
图7和图8是描述根据本发明的修改实施例的制造封装结构的过程的视图。
具体实施方式
从以下参照附图的实施方式的描述中,本发明的各种优点和特征以及其实现的方法将变得显而易见。然而,可以以许多不同的形式改变本发明,并且本发明不应仅限于本文给出的示例性实施方式。相反,可以提供这些实施方式使得本公开彻底并完整,并且向本领域中的技术人员充分传达本发明的范围。贯穿本说明书的相同参考数字表示相似元件。
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