[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基板之上形成阻挡层；

在基板和阻挡层之上形成数据线；

在阻挡层和数据线之上形成介质层，刻蚀所述介质层，形成介质层图案，再通过刻蚀后的介质层图案和数据线的阻挡，干刻阻挡层形成阻挡层图形；

在介质层之上形成像素电极，所述介质层位于所述像素电极和所述数据线之间。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括

在基板上形成栅极；

在所述基板和栅极之上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层之上，形成位于所述栅极上方的半导体层，所述栅极、栅极绝缘层和半导体层位于基板和阻挡层之间；

形成一贯穿所述栅极绝缘层和所述阻挡层的第一过孔；

在介质层之上形成源极和漏极，所述源极、漏极与像素电极位于同一层；

在所述源极、漏极、像素电极之上形成覆盖整个基板的钝化层，并刻蚀所述钝化层形成一贯穿所述钝化层的第二过孔；

在所述钝化层之上形成公共电极，位于所述像素电极的上方。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括形成第一电极、第二电极、第三电极和导线；

所述第一电极与所述栅极同层，所述第一过孔暴露出所述第一电极；

所述第二电极通过所述第一过孔与所述第一电极接触连接；

所述第三电极、所述第二电极和所述数据线同层，所述第二过孔暴露出所述第三电极；

所述导线与所述公共电极同层，并通过所述第二过孔与所述第三电极接触连接。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述数据线与所述像素电极至少有部分重叠。

5.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述栅极和数据线为单层合金结构或多层合金结构，所述合金是钼、铝、肽组合形成的，所述栅极和数据线的的厚度均为

6.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述栅极绝缘层和所述钝化层均由硅化物材料形成，其中，所述栅极绝缘层的厚度为所述钝化层的厚度为

所述阻挡层由硅氧化物材料形成，其中，所述阻挡层的厚度为

7.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述介质层的材料为低介电常数材料，所述介质层具有光感性，所述介质层的厚度为

8.一种利用权利要求1-7任一项所述的TFT阵列基板的制备方法制备的TFT阵列基板，其特征在于，所述介质层位于数据线和像素电极之间。

9.如权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述数据线与所述像素电极至少有部分重叠。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8-9任一项所述的TFT阵列基板。