[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制备方法和显示装置。

背景技术

目前，平板显示器，如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光显示器(Organic Light Emit Display，OLED)等，由于其具有体积小、重量轻、厚度薄、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。在成像过程中，平板显示器中每一像素点都由集成在阵列基板中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)来驱动，再配合外围驱动电路，实现图像显示，TFT是控制发光的开关，是实现液晶显示器LCD和有机发光显示器OLED大尺寸化的关键，直接关系到高性能平板显示器的发展方向。随着对产品边框窄化和显示效果的要求越来越高，如何在减少像素电极与数据线之间的寄生电容，从而达到增大开口率，减小数据线负载，降低功耗的效果的同时，又达到减少工艺步骤，简化工艺流程，提高基板制备的良率的效果，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种TFT阵列基板及其制备方法和显示装置。

一种TFT阵列基板的制备方法，包括：

在基板之上形成阻挡层；

在所述基板和所述阻挡层之上形成数据线；

在所述阻挡层和所述数据线之上形成介质层，利用一道光罩刻蚀所述介质层和所述阻挡层，形成阻挡层图形；

在所述介质层之上形成像素电极，所述介质层位于所述像素电极和所述数据线之间。

一种利用上述的TFT阵列基板的制备方法制备的TFT阵列基板，所述介质层位于所述数据线和所述像素电极之间。

一种显示装置，包括上述的TFT阵列基板。

本发明通过在同一道光罩里，刻蚀阻挡层和介质层，而形成阻挡层图案，并且介质层位于数据线和像素电极之间，可以达到以下至少一个效果：减少数据线和像素电极之间的寄生电容，减小数据线负载，降低功耗，增大开口率，减少工艺步骤，降低制备工艺的复杂度，提高基板制备的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1(a)、图1(b)和图1(c)为现有技术的利用8道光罩制备得到的TFT阵列基板的结构示意图；

图2(a)、图2(b)和图2(c)为现有技术的利用9道光罩制备得到的TFT阵列基板的结构示意图；

图3为现有技术中9光罩制备TFT阵列基板的方法步骤流程图；

图4为本发明实施例一中的方法步骤流程图；

图5(a)、图5(b)和图5(c)为本发明实施例一中第一道光罩后形成的TFT阵列基板结构示意图；

图6(a)、图6(b)和图6(c)为本发明实施例一中第二道光罩后形成的TFT阵列基板结构示意图；

图7(a)、图7(b)和图7(c)为本发明实施例一中第三道光罩后形成的TFT阵列基板结构示意图；

图8(a)、图8(b)和图8(c)为本发明实施例一中第四道光罩后形成的TFT阵列基板结构示意图；

图9(a)、图9(b)和图9(c)为本发明实施例一中第五道光罩后形成的TFT阵列基板结构示意图；

图10(a)、图10(b)和图10(c)为本发明实施例一中第六道光罩后形成的TFT阵列基板结构示意图；

图11(a)、图11(b)和图11(c)为本发明实施例一中第七道光罩后形成的TFT阵列基板结构示意图；

图12(a)、图12(b)和图12(c)为本发明实施例一中第八道光罩后形成的TFT阵列基板结构示意图；

图13为本发明实施例一中制备而成的TFT阵列基板的平面俯视图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。