[发明专利]一种用于控制单次可编程存储器的控制电路及其控制方法

权利要求书

1.一种用于控制单次可编程存储器的控制方法，其特征在于：用于控制单次可编程存储器的控制电路，其中包括上位机、接口电路、总线控制器以及单次可编程存储器，上位机通过接口电路与总线控制器连接，总线控制器同时与单次可编程存储器连接，其特征在于，上位机通过一根数据线与接口电路连接；上位机与接口电路连接有DATA线，由没有交集的时钟周期信号表示1或者0；接口电路与总线控制器之间连接有din线和doen线，din线用于将上位机的数据传送至总线控制器中，doen线用于将总线控制器的响应信号传送至上位机；总线控制器与单次可编程存储器之间连接有load线、fuse_blowb线、fuse_data_b线、fuse_rb线、fuse_sb线、I_clk线以及I_rstn线，其中，load线用于总线控制器传输至单次可编程存储器的读取地址；fuse_blowb线用于传递烧写标志位；fuse_data_b线用于传递烧写地址；fuse_rb线用于控制总线控制器中复位寄存器，fuse_sb线 用于控制总线控制器中置位寄存器；I_clk线用于传递时钟信号；I_rstn线用于传递复位信号；

控制方法包括以下步骤：（1）总线控制器通过din线接收到来自接口电路的安全码，从doen线通过拉低DATA线给出响应信号，接着通过接口电路读入DATA线上想要操作的地址，操作地址的值即表示了load线的某一位；（2）接收操作地址的后一位，该位表示了即将进行的操作模式为读或写；（3）若步骤（2）中的操作模式为读，总线控制器通过fuse_rb线和fuse_sb线的相应位将值读出，并由doen线 下拉DATA线的时间表示，即若读出信号是0，则下拉时间为5-30个时钟周期；若读出信号为1，则下拉30-255个时钟周期，这样一个地址的读操作完毕；若步骤（2）中的操作模式为写，将fuse_data_b线的相应位置拉低，接着DATA线拉低并且fuse_blowb线 也被同步拉低，低电平的维持时间即为写时间，写结束后，总线控制器会完成相应的写的比特位的读操作，用于检验相应的写的比特位是否被正确写入，一个地址的写操作完毕。

2.如权利要求1所述的一种用于控制单次可编程存储器的控制方法，其特征在于，操作地址用二进制编码表示。

3.如权利要求1或2所述的一种用于控制单次可编程存储器的控制方法，其特征在于，步骤（1）中的安全码采用4位以上的二进制码。