[发明专利]一种用于控制单次可编程存储器的控制电路及其控制方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种用于控制单次可编程存储器的控制电路及其控制方法。

背景技术

现在，有许多芯片需要在片内集成一次性可编程存储器和调试寄存器，以便在芯片进行成品测试或者用户的使用过程中对芯片内部的参数进行调整和修改。但是许多中小规模电路由于引脚数目和功能的限制，或者并没有专用的通信接口。例如SPI和I2C接口至少需要2-3根专用通信线。

发明内容

发明目的：本发明的目的是针对现有技术的不足而公开了一种用于控制单次可编程存储器的控制电路及其控制方法，从而只需一条数据线就能实现上位机对单次可编程存储器的操作。

技术方案：为了实现发明的目的，本发明公开了一种用于控制单次可编程存储器的控制电路，包括上位机、接口电路、总线控制器以及单次可编程存储器，上位机通过接口电路与总线控制器连接，总线控制器同时与单次可编程存储器连接，其特征在于，上位机通过一根数据线与接口电路连接；上位机与接口电路连接有DATA线，由没有交集的时钟周期信号表示1或者0；接口电路与总线控制器之间连接有din线和doen线，din线用于将上位机的数据传送至总线控制器中，doen线用于将总线控制器的响应信号传送至上位机；总线控制器与单次可编程存储器之间连接有load线、fuse_blowb线、fuse_data_b线、fuse_rb线、fuse_sb线、I_clk线以及I_rstn线，其中，load线用于总线控制器传输至单次可编程存储器的读取地址；fuse_blowb线为烧写标志位；fuse_data_b线为烧写地址；fuse_rb线用于控制总线控制器中复位寄存器，fuse_sb用于控制总线控制器中置位寄存器；I_clk线为时钟信号；I_rstn线为复位信号。所述的DATA线的端口用5～30个时钟周期的低电平表示0，用30～255个时钟周期的低电平表示1。

根据本发明的实施例另一方面，本发明公开了一种用于控制单次可编程存储器的控制方法，包括以下步骤：（1）总线控制器通过din线接收到来自接口电路的安全码，从doen线通过拉低DATA线给出响应信号，接着通过接口电路读入DATA线上想要操作的地址，操作地址的值即表示了load线的某一位；（2）接收操作地址后的一位，该位表示了即将进行的操作模式为读或写；（3）若步骤（2）中的操作模式为读，总线控制器通过fuse_rb线和fuse_sb线的相应位将值读出，并由doen下拉DATA线的时间表示，即若读出信号是0，则下拉时间为5-30个时钟周期。若读出信号为1，则下拉30-255个时钟周期，这样一个地址的读操作完毕；若步骤（2）中的操作模式为写，将fuse_data_b线的相应位置低，接着DATA线拉低并且fuse_blowb也被同步拉低，低电平的维持时间即为写时间，写结束后，总线控制器会完成该位的读操作，用于检验该位是否被正确写入，一个地址的写操作完毕。所述的操作地址用二进制编码表示；所述步骤（1）的安全码采用4位以上的二进制码。

有益效果：本发明与现有技术相比，具有如下优点：通过一根数据线即能完成对接口电路输入的数据的解析以及产生控制存储器的完整的控制信号。

附图说明

图1为本发明的用于控制单次可编程存储器的控制电路的连接关系图；

图2为本发明读操作的时序图；

图3为本发明写操作的时序图。

具体实施方式

以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

如图1所示，以8bit的单次可编程存储器为例，Load[7：0]:表示想读取的比特位；Fuse_blowb表示当配置完想要烧写的比特位后，当Fuse_blowb拉低后，烧写过程开始,低电平有效；Fuse_data_b[7:0]:表示想要烧写的比特位地址，每一比特和一位单次可编程存储器单元相对应，低电平有效；Fuse_rb[7:0],Fuse_sb[7:0]表示当读取单次可编程存储器时，单次可编程存储器单元为1时，相应的Fuse_rb置0，Fuse_sb置1。当读出值为0时，相应的Fuse_rb置1，Fuse_sb置0，此两信号用于控制总线控制器中相应寄存器的SET和RESET端。I_clk为工作时钟信号。I_rstn为复位信号，低电平有效。Din用于传输从上位机至总线控制器的数据。doen用于将总线控制器的响应信号传送至上位机，这是通过总线控制器控制doen信号为1，然后通过开关下拉DATA引脚,DATA引脚在接口电路中通过上拉电阻连接到电源。