[发明专利]一种集成电路芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路芯片，其特征在于，包括：

一个半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的半浮栅存储器阵列和非易失性存储器阵列；

用于连接所述半浮栅存储器阵列和所述非易失性存储器阵列的第一输入输出端和第二输入输出端。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路芯片，其特征在于：还包括用于控制所述半浮栅存储器阵列与所述非易失性存储器阵列之间的数据传输的数据控制电路。

3.根据权利要求1所述的一种集成电路芯片，其特征在于：所述非易失性存储器阵列为NAND存储器阵列和NOR存储器阵列中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种集成电路芯片，其特征在于：所述半浮栅存储器阵列和所述非易失性存储器阵列之间由浅沟槽隔离结构隔离。

5.一种根据权利要求1所述的集成电路芯片的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

在具有第一种掺杂类型的半导体衬底内形成具有第二种掺杂类型的掺杂阱；

在半导体衬底的表面生长第一层栅介质层，并通过光刻工艺和刻蚀工艺在所述第一层栅介质层中形成一个浮栅开口，所述浮栅开口位于所述具有第二种掺杂类型的掺杂阱之上；

覆盖所形成的结构淀积第一层多晶硅；

通过光刻工艺定义出用于隔离器件的浅沟槽隔离结构的位置；

以光刻胶为掩膜刻蚀所述第一层多晶硅，并继续刻蚀所述第一层栅介质层和所述半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽，之后在所述浅沟槽内形成绝缘层，所述绝缘层使得具有第二种掺杂类型的掺杂阱仅位于半浮栅存储器的衬底区域内；

进行离子掺杂，使得位于半浮栅存储器区域内的所述第一层多晶硅具有第一种掺杂类型，位于非易失性存储器内的所述第一层多晶硅具有第二种掺杂类型；

通过光刻工艺和刻蚀工艺，刻蚀所述第一层多晶硅，分别形成半浮栅存储器和非易失性存储器的第一层多晶硅栅，其中所述半浮栅存储器的第一层多晶硅栅覆盖整个或者部分所述浮栅开口，并通过所述浮栅开口与所述具有第二种掺杂类型的掺杂阱连接；

刻蚀掉暴露出的所述第一层栅介质层；

覆盖所形成的结构形成第二层栅介质层，并在第二层栅介质层之上形成第二层多晶硅，然后通过光刻工艺和刻蚀工艺刻蚀所述第二层多晶硅，分别形成半浮栅存储器和非易失性存储器的第二层多晶硅栅，其中所述半浮栅存储器的第二层多晶硅栅至少延伸至所述具有第二种掺杂类型的掺杂阱之上；

在所述半浮栅存储器和非易失性存储器的第二层多晶硅栅的两侧分别形成栅极侧墙，并沿着所述栅极侧墙的边沿刻蚀所述第二层栅介质层，以露出所述半导体衬底；

在所述半浮栅存储器和非易失性存储器的第二层多晶硅栅的两侧的所述半导体衬底内形成器件的源区和漏区；

淀积钝化层，并在所述钝化层内形成接触孔和金属电极。