[发明专利]带有大接触板的无线射频识别集成电路

权利要求书

1.一种射频识别标签前体，其特征在于，包括：

一个包括一个RFID集成电路，一个在集成电路表面上且限制在所述表面一个边界内的一个非导电再钝化层组合，和一个在所述再钝化层表面上且限制在所述表面一个边界内的一个导电再分配层的组合，其中至少所述再分配层的一个第一部分通过一个第一缺口可通电地连接于所述集成电路，其中所述第一缺口在所述再钝化层；

一个基底，其包括一个第一天线终端；

一种蚀刻剂，所述蚀刻剂在一个非导电屏障上形成一个第二缺口，其中所述非导电屏障存在于所述第一天线终端和所述再分配层的所述第一部分两者中的至少一个，和；

一种将所述组合附着在所述基底上的粘合剂；其中一个第一电连接通过所述第二缺口被形成在所述第一天线终端和所述再分配层的所述第一部分之间；和所述第一缺口和所述第二缺口不重叠。

2.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述再分配层被模式化，从而使得具有一个对所述集成电路的超出阈值的寄生电容的部分被剥离。

3.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述非导电屏障为一种氧化物和一个掩蔽层两者中的至少其中之一。

4.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述粘合剂包括一种各向同性导电材料和一种各向异性导电材料两者中的至少其中之一，且所述第一电连接包括所述粘合剂。

5.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述蚀刻剂包括一个在所述再分配层的毛化表面，其中所述再分配层通过破损所述非导电屏障形成所述第二缺口。

6.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述蚀刻剂包括导电颗粒，其中所述导电颗粒通过破损所述非导电屏障形成所述第二缺口。

7.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述蚀刻剂通过与非导电屏障发生反应而形成所述第二缺口。

8.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，

所述基底进一步包括一个第二天线终端；

所述再分配层进一步包括一个第二部分，其中所述第二部分与所述第一部分电绝缘且与所述集成电路可通电地相连接；

所述非导电屏障进一步位于所述第二天线终端和所述再分配层的所述第二部分两者中的至少其中之一；

所述蚀刻剂进一步在所述非导电屏障形成一个第三缺口；和

一个第二电连接通过所述第三缺口形成在所述第二天线终端和所述再分配层的所述第二部分之间。

9.一种射频识别（RFID）标签前体组合方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一个包括一个RFID集成电路，一个在集成电路表面上且限制在所述表面一个边界内的一个非导电再钝化层组合，和一个在所述再钝化层表面上且限制在所述表面一个边界内的一个导电再分配层的组合，其中至少所述再分配层的一个第一部分通过所述再钝化层的一个第一缺口被可通电地连接于所述集成电路；

提供一个基底，其中所述基底包括一个第一天线终端；

在所述非导电屏障形成一个第二缺口，其中所述非导电屏障存在于所述第一天线终端和所述带有一种蚀刻剂的所述再分配层的所述第一部分两者中的其中之一，其中所述第一缺口和所述第二缺口不重叠；

用一种粘合剂将所述组合附着在所述基底上；和

在所述第一天线终端和所述再分配层的所述第一部分之间通过所述第二缺口形成一个第一电连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述再分配层被模式化从而使得具有一个对所述集成电路的超出阈值的寄生电容的部分被剥离。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述非导电屏障为一种氧化物和一个掩蔽层两者中的至少其中之一。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述粘合剂包括一种各向同性导电材料和一种各向异性导电材料两者中的至少其中之一，且所述第一电连接包括所述粘合剂。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述蚀刻剂是一种在所述再分配层的毛化表面和所述方法进一步包括通过用所述蚀刻剂破损所述非导电屏障形成所述第二缺口。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述蚀刻剂包括导电颗粒和所述方法进一步包括通过用所述导电颗粒破损所述非导电屏障形成所述第二缺口。