[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201310472914.3 | 申请日: | 2013-10-11 |
公开(公告)号: | CN103489879A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 于海峰;黄海琴;封宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形;
在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形,使所述第二信号线电极直接接触所述第一信号线电极以形成信号线。
2.如权利要求1所述的阵列基板制作方法,其特征在于,所述在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形具体包括:
在所述基板上形成导电薄膜,通过构图工艺在GOA区对应信号线的区域形成所述第一信号线电极的图形。
3.如权利要求1所述的阵列基板制作方法,其特征在于,所述在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形具体包括:
在所述基板上形成透明导电薄膜,通过构图工艺在所述基板对应的阵列基板的显示区域形成公共电极或像素电极的图形,同时在GOA区对应信号线的区域形成所述第一信号线电极的图形。
4.如权利要求1~3中任一项所述的阵列基板制作方法,其特征在于,所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括:
在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成金属薄膜,通过构图工艺在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
5.如权利要求1~3中任一项所述的阵列基板制作方法,其特征在于,所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括:
在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成栅金属薄膜,通过构图工艺形成包括栅线和栅极的图形,同时在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
6.如权利要求1~3中任一项所述的阵列基板制作方法,其特征在于,所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括:
在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成源漏金属薄膜,通过构图工艺形成包括源极、漏极和数据线的图形,同时在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
7.一种阵列基板,包括位于GOA区的信号线,其特征在于,所述信号线包括:位于基板上的第一信号线电极及位于所述第一信号线电极之上的第二信号线电极,第一信号线电极和第二信号线电极直接接触,共同形成信号线。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号线电极与所述阵列基板上的公共电极或像素电极为同种电极材料,且同时形成。
9.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第二信号线电极为金属电极。
10.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第二信号线电极与所述阵列基板上的栅线为同种金属材料,且同时形成。
11.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第二信号线电极与所述阵列基板上的数据线为同种金属材料,且同时形成。
12.一种显示装置,包括如权利要求7~11中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的