[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201310472914.3 | 申请日: | 2013-10-11 |
公开(公告)号: | CN103489879A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 于海峰;黄海琴;封宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
对于栅极驱动电路集成在阵列基板上(Gate-driver On Array,GOA)的产品,GOA区域包括诸多密集的信号线及薄膜晶体管(TFT)。如图1和2所示,基板6上的GOA区域除了包括若干GOA驱动单元外,还包括若干信号线:第一时钟信号线(CLK信号线)1,第二时钟信号线(CLKB信号线)2、接地电压信号线(VSS信号线)3和栅启动信号线(STV信号线)4等。每个GOA驱动单元5都连接CLK信号线1,CLKB信号线2和VSS信号线3,其中,STV信号线4连接第一个GOA驱动单元5。由于阵列基板GOA区域布线较密集,因此,各信号线关键尺寸(Critical Dimension,CD)值较小,导致该区域(尤其是大尺寸产品,信号线很长)信号线电阻过大,造成信号延迟,失真等不良,严重影响产品良率。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何减小GOA区域信号线的电阻。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明提供了一种阵列基板制作方法,包括以下步骤:
在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形;
在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形,使所述第二信号线电极直接接触所述第一信号线电极以形成信号线。
其中,所述在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形具体包括:
在所述基板上形成导电薄膜,通过构图工艺在GOA区对应信号线的区域形成所述第一信号线电极的图形。
其中,所述在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形具体包括:
在所述基板上形成透明导电薄膜,通过构图工艺在所述基板对应的阵列基板的显示区域形成公共电极或像素电极的图形,同时在GOA区对应信号线的区域形成所述第一信号线电极的图形。
其中,所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括:
在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成金属薄膜,通过构图工艺在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
其中,所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括:
在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成栅金属薄膜,通过构图工艺形成包括栅线和栅极的图形,同时在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
其中,所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括:
在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成源漏金属薄膜,通过构图工艺形成包括源极、漏极和数据线的图形,同时在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
本发明还提供了一种阵列基板,包括位于GOA区的信号线,所述信号线包括:位于基板上的第一信号线电极及位于所述第一信号线电极之上的第二信号线电极,第一信号线电极和第二信号线电极直接接触,共同形成信号线。
其中,所述第一信号线电极与所述阵列基板上的公共电极或像素电极为同种电极材料,且同时形成。
其中,所述第二信号线电极为金属电极。
其中,所述第二信号线电极与所述阵列基板上的栅线为同种金属材料,且同时形成。
其中,所述第二信号线电极与所述阵列基板上的数据线为同种金属材料,且同时形成。
本发明还提供了一种显示装置,包括上述任一项所述的阵列基板。
(三)有益效果
本发明的阵列基板制作方法中,在基板上GOA区对应信号线的区域先形成一层第一信号线电极,再在第一信号线电极之上形成原来的第二信号线电极,以共同形成信号线。由于该信号线由两层信号线电极组成相当于增加了信号线的截面面积,从而减小了信号线的电阻,进而避免了现有技术中由于信号线电阻过大造成信号传输延迟,失真等不良的问题,提高了产品良率。
附图说明
图1是现有技术中的一种阵列基板GOA区的平面示意图;
图2是图1的现有技术中的阵列基板GOA区沿A-A的截面图;
图3是本发明实施例的一种阵列基板制作方法流程图;
图4是本发明实施例的制作方法制作的阵列基板的GOA区的截面示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的