[发明专利]滤波电容器用高方阻金属化膜在审
| 申请号： | 201310479776.1 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103578755A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 荚朝辉;康仙文 | 申请（专利权）人： | 铜陵其利电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/015 | 分类号： | H01G4/015;H01G4/33 |
| 代理公司： | 安徽信拓律师事务所 34117 | 代理人： | 鞠翔 |
| 地址： | 244000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 滤波 电容 器用 高方阻 金属化 | ||
【权利要求书】：
1.一种滤波电容器用高方阻金属化膜，其特征在于：包括基膜，所述的基膜上设置有金属镀层，所述金属镀层沿基膜宽度方向的一端边保留一条具有一定宽度的空白留边，所述金属镀层沿基膜宽度方向的另一端边形成具有一定宽度的边缘加厚区，所述边缘加厚区与空白留边之间为非加厚区，所述边缘加厚区的方阻为2-4Ω/□，所述非加厚区的方阻为6-65Ω/□。
2.根据权利要求1所述的滤波电容器用高方阻金属化膜，其特征在于：所述非加厚区由中间区和边缘区构成，所述边缘区位于空白留边的一侧。
3.根据权利要求2所述的滤波电容器用高方阻金属化膜，其特征在于：所述中间区的方阻为20-30Ω/□。
4.根据权利要求2所述的滤波电容器用高方阻金属化膜，其特征在于：所述边缘区的方阻为50-65Ω/□。
5.根据权利要求1所述的滤波电容器用高方阻金属化膜，其特征在于：所述金属镀层的厚度从加厚区向空白留边区递减。
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